IT之家 11 月 14 日消息，長(zhǎng)城汽車(chē)今日宣布，長(zhǎng)城汽車(chē)自研自產(chǎn) IGBT 功率模塊成功落地，已在哈弗梟龍 MAX 上完成裝車(chē)。
長(zhǎng)城汽車(chē)表示，長(zhǎng)城汽車(chē)自研自產(chǎn) IGBT 為定向開(kāi)發(fā)，不僅車(chē)型適配度更高、搭車(chē)更安全，從此不再被芯片短缺“卡”脖子，終端供應(yīng)鏈更加穩(wěn)定，同時(shí)長(zhǎng)城自研芯片從研發(fā)立項(xiàng)到技術(shù)落地僅用時(shí) 14 個(gè)月。
IT之家注：絕緣柵雙極晶體管（英語(yǔ)：Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT），是半導(dǎo)體器件的一種，主要用于電動(dòng)車(chē)輛、鐵路機(jī)車(chē)及動(dòng)車(chē)組的交流電電動(dòng)機(jī)的輸出控制。傳統(tǒng)的 BJT 導(dǎo)通電阻小，但是驅(qū)動(dòng)電流大，而 MOSFET 的導(dǎo)通電阻大，卻有著驅(qū)動(dòng)電流小的優(yōu)點(diǎn)。IGBT 正是結(jié)合了這兩者的優(yōu)點(diǎn)：不僅驅(qū)動(dòng)電流小，導(dǎo)通電阻也很低。
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