IT之家 11 月 28 日消息，根據(jù)韓媒 Business Korea 報道，SK 海力士計劃明年發(fā)布“2.5D fan-out”集成存儲芯片封裝方案，實現(xiàn)兩個芯片之間的端到端連接。
這種封裝方案是將兩個 DRAM 芯片水平并排放置，然后將它們組合成一個芯片。這種方案的優(yōu)勢是由于芯片下方?jīng)]有添加基板，可以讓成品微電路更薄。
IT之家援引該韓媒報道，臺積電自 2016 年以來一直使用類似的安排來集成不同的芯片，并應(yīng)用于蘋果的處理器生產(chǎn)中，不過存儲廠商此前并未關(guān)注過這項技術(shù)。
HBM 型存儲芯片的垂直集成固然可以顯著增加接口帶寬，但成本高昂，而 SK 海力士研發(fā)的“2.5D fan-out”，能有效降低生產(chǎn) DRAM 芯片成本，預(yù)估會在游戲顯卡的 GDDR 顯存中使用。
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