IT之家 1 月 25 日消息，英特爾今日宣布，已實現(xiàn)基于業(yè)界領先的半導體封裝解決方案的大規(guī)模生產(chǎn)，其中包括英特爾突破性的 3D 封裝技術 Foveros。
這一技術是在英特爾最新完成升級的美國新墨西哥州 Fab 9 投產(chǎn)的。英特爾公司執(zhí)行副總裁兼首席全球運營官 Keyvan Esfarjani 表示：“先進封裝技術讓英特爾脫穎而出，幫助我們的客戶在芯片產(chǎn)品的性能、尺寸，以及設計應用的靈活性方面獲得競爭優(yōu)勢?！?/p>
隨著整個半導體行業(yè)進入在單個封裝中集成多個“芯?！保↖T之家注：Chiplets，又稱“小芯片”）的異構時代，英特爾的 Foveros 和 EMIB（嵌入式多芯片互連橋接）等先進封裝技術號稱可以實現(xiàn)在單個封裝中集成一萬億個晶體管，并在 2030 年后繼續(xù)推進摩爾定律。
據(jù)介紹，英特爾的 3D 先進封裝技術 Foveros 在處理器的制造過程中，能夠以垂直而非水平方式堆疊計算模塊。此外，F(xiàn)overos 讓英特爾及其代工客戶能夠集成不同的計算芯片，優(yōu)化成本和能效。
該公司曾表示，規(guī)劃到 2025 年時，其 3D Foveros 封裝的產(chǎn)能將增加四倍。
廣告聲明：文內(nèi)含有的對外跳轉鏈接（包括不限于超鏈接、二維碼、口令等形式），用于傳遞更多信息，節(jié)省甄選時間，結果僅供參考，IT之家所有文章均包含本聲明。