IT之家 1 月 26 日消息，根據(jù) DigiTimes 報道，長鑫存儲（CXMT）專注于 DRAM 存儲，長江存儲（YMTC）專注于 NAND 閃存，采用不同的戰(zhàn)略加快了發(fā)展步伐。
消息稱長鑫存儲位于合肥的新工廠已經(jīng)開始批量生產(chǎn) 18.5 納米工藝的 DRAM 芯片，合肥工廠一期已接近滿負(fù)荷生產(chǎn)，月產(chǎn)量達(dá)到 100000 片晶圓。
即將進(jìn)行的二期擴(kuò)建將在 2024 年底前完成，每月增加 40000 片晶圓，讓長鑫存儲的 DRAM 總產(chǎn)能達(dá)到全球規(guī)模的 10%。
IT之家從報道中還獲悉，長江存儲雖然在產(chǎn)能增長方面面臨全面限制，由于關(guān)鍵設(shè)備的進(jìn)口現(xiàn)已停止，而且建立本土材料和工具供應(yīng)鏈存在諸多挑戰(zhàn)，但該公司在研發(fā)方面依然取得新進(jìn)展。
長江存儲在研發(fā)超過 300 層的 NAND 閃存之外，還推出 120 層的新產(chǎn)品，目標(biāo)是克服外部不利因素，推動中國半導(dǎo)體能力向前發(fā)展。
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