IT之家 1 月 28 日消息，三星電子稱其已經(jīng)在美國(guó)硅谷開(kāi)設(shè)了一個(gè)新的 R&D 研究實(shí)驗(yàn)室，專注于下一代 3D DRAM 芯片的開(kāi)發(fā)。
該實(shí)驗(yàn)室位于硅谷 Device Solutions America（DSA）運(yùn)營(yíng)之下，負(fù)責(zé)監(jiān)督三星在美國(guó)的半導(dǎo)體生產(chǎn)，并致力于開(kāi)發(fā)新一代的 DRAM 產(chǎn)品，以幫助三星繼續(xù)引領(lǐng)全球 3D DRAM 市場(chǎng)。
三星去年 9 月推出了業(yè)界首款且容量最高的 32 Gb DDR5 DRAM 芯片，采用 12nm 級(jí)工藝打造，可生產(chǎn)出 1TB 的內(nèi)存產(chǎn)品，從而鞏固了三星在 DRAM 技術(shù)方面的領(lǐng)導(dǎo)地位。
IT之家注：Gb 即兆位（G bit），是 DRAM 密度單位，與 GB（G Byte）不同。一根內(nèi)存條有多枚 DRAM 芯片，這些 DRAM 顆粒組合起來(lái)就是 Rank（內(nèi)存區(qū)塊），大家常見(jiàn)的邏輯容量主要包括 8GB、16GB、32GB 這些，但也有 128GB 的服務(wù)器級(jí)內(nèi)存，其中就使用了不等數(shù)量的 DRAM 芯片，目前美光官網(wǎng)列出的 DDR5 SDRAM 產(chǎn)品都是 16Gb 和 24Gb 產(chǎn)品，三星官網(wǎng) DDR5 SDRAM 產(chǎn)品都是 16Gb 產(chǎn)品，SK 海力士也是 16Gb 產(chǎn)品。
基于 2013 年全球首款 3D 垂直結(jié)構(gòu) NAND（3D V-NAND）商業(yè)化的成功經(jīng)驗(yàn)，三星電子的目標(biāo)是主導(dǎo) DRAM 3D 垂直結(jié)構(gòu)的開(kāi)發(fā)。
在去年 10 月舉行的“內(nèi)存技術(shù)日”活動(dòng)上，三星電子宣布計(jì)劃在下一代 10 納米或更低的 DRAM 中引入新的 3D 結(jié)構(gòu)，而不是現(xiàn)有的 2D 平面結(jié)構(gòu)。該計(jì)劃旨在克服 3D 垂直結(jié)構(gòu)縮小芯片面積的限制并提高性能，將一顆芯片的容量增加 100G 以上。
三星電子去年在日本舉行的“VLSI 研討會(huì)”上發(fā)表了一篇包含 3D DRAM 研究成果的論文，并展示了作為實(shí)際半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)的 3D DRAM 的詳細(xì)圖像。
分析師預(yù)計(jì)，3D DRAM 市場(chǎng)將在未來(lái)幾年快速增長(zhǎng)，到 2028 年將達(dá)到 1000 億美元。三星和其他主要內(nèi)存芯片制造商正在激烈競(jìng)爭(zhēng)，以引領(lǐng)這一快速增長(zhǎng)的市場(chǎng)。
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