IT之家 2 月 29 日消息，消息源 @Tech_Reve 近日發(fā)布推文，表示包括今年發(fā)布的驍龍 8 Gen 4 在內(nèi)，高通公司的所有旗艦芯片完全使用臺(tái)積電的 3nm 工藝制造，不過明年推出的驍龍 8 Gen 5 會(huì)采用多晶圓廠方案。
報(bào)道稱三星生產(chǎn)了高通驍龍 8 Gen 1 芯片，由于過熱以及效率低下，高通公司轉(zhuǎn)而采用臺(tái)積電，后者自此成為其獨(dú)家代工合作伙伴。
而這種格局明年會(huì)發(fā)生改變，其中常規(guī)的驍龍 8 Gen 5 芯片繼續(xù)由臺(tái)積電的 3nm 工藝 N3E 制造，而適用于三星旗艦 Galaxy S26 系列的驍龍 8 Gen 5 芯片采用三星的 SF2P 工藝。
IT之家注：與 SF3 相比，SF2 工藝可以在相同的頻率和復(fù)雜度下提高 25% 的功耗效率，在相同的功耗和復(fù)雜度下提高 12% 的性能，在相同的性能和復(fù)雜度下減少 5% 的面積。
為了讓 SF2 工藝更具競(jìng)爭(zhēng)力，三星還將為該工藝提供一系列先進(jìn)的 IP 組合，包括 LPDDR5x、HBM3P、PCIe Gen6 和 112G SerDes 等。
而 SF2P 是在 SF2 工藝基礎(chǔ)上，針對(duì)高性能計(jì)算（HPC）再次優(yōu)化，預(yù)估在性能方面會(huì)有更大的改進(jìn)。
此前消息稱高通驍龍 8 Gen 5 會(huì)采用“Pegasus”核心，采用“2+6”的集群設(shè)計(jì)方案以及 Slice GPU 架構(gòu)。
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