比 18A 高 15%，英特爾高管透露英特爾 14A 節(jié)點(diǎn)性能功耗比信息

IT之家 3 月 12 日消息，英特爾高級(jí)副總裁安妮?凱萊赫（Anne Kelleher）近日出席 SPIE 2024 會(huì)議，透露 Intel 14A 工藝節(jié)點(diǎn)的性能功耗比（Performance per watt），會(huì)比 Intel 18A 提高 15%，而后續(xù)增強(qiáng)的 14A-E 工藝在普通 14A 節(jié)點(diǎn)的基礎(chǔ)上再增加 5%。

凱萊赫表示 Intel 14A 工藝率先使用 High-NA EUV 光刻技術(shù)，因此晶體管邏輯密度比 Intel 18A 提高了 20%。

英特爾公司正在積極推進(jìn) IDM 2.0 戰(zhàn)略，希望在 2030 年之前超越三星，重新奪回代工行業(yè)的領(lǐng)先地位，目前總訂單規(guī)模超過 150 億美元（IT之家備注：當(dāng)前約 1077 億元人民幣）。英特爾公司此前發(fā)布公告，已經(jīng)和微軟公司達(dá)成合作，采用 Intel 18A 工藝為其生產(chǎn)芯片。

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