IT之家 3 月 14 日消息，據(jù)韓媒 NEWSIS 報(bào)道，三星電子否認(rèn)了近日路透社的說(shuō)法，表示并未考慮使用 MR-RUF 方式生產(chǎn) HBM 內(nèi)存。
HBM 由多層 DRAM 堆疊而成，目前連接各層 DRAM 的鍵合工藝主要有兩個(gè)流派：SK 海力士使用的 MR-RUF 和三星使用的 TC-NCF。
MR-RUF 即批量回流模制底部填充，通過(guò)回流焊一次性粘合，然后同時(shí)用模塑料填充間隙；而 TC-NCF 中文稱熱壓非導(dǎo)電薄膜，是一種在各 DRAM 層間填充非導(dǎo)電薄膜（NCF）的熱壓鍵合方式。
隨著 HBM 中 DRAM 層的增加，DRAM 晶圓也需要隨之變薄，而整體壓力卻會(huì)進(jìn)一步增大，因此晶圓翹曲會(huì)加劇，SK 海力士的 MR-RUF 路線被部分人士認(rèn)為能更好解決翹曲問(wèn)題。
路透社之前援引分析師的話說(shuō)，三星的 HBM3 內(nèi)存芯片良率僅有 10~20%，明顯低于 SK 海力士的 60~70%，因此三星求變，正考慮向日本企業(yè)購(gòu)買(mǎi) MR-RUF 所用模塑料。
三星電子表示路透社報(bào)道不正確，并回應(yīng)稱：“我們正在利用 NCF 方法制定最佳解決方案。”
業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，三星在 NCF 材料的研發(fā)和擴(kuò)產(chǎn)上進(jìn)行了大規(guī)模投資，因此目前在 HBM 上無(wú)法轉(zhuǎn)向 MR-RUF。據(jù)IT之家此前報(bào)道，三星將在 3DS RDIMM 上進(jìn)行 MR-RUF 的應(yīng)用嘗試。
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