IT之家 3 月 22 日消息，美光于近日發(fā)布了截至 2 月 29 日的 2024 財(cái)年第二財(cái)季財(cái)報(bào)，配套的演示文稿中對(duì)其 DRAM 內(nèi)存和 NAND 閃存的未來(lái)與現(xiàn)狀進(jìn)行了介紹。
美光稱其引入 EUV 光刻的下一代 1-gamma 內(nèi)存已進(jìn)行了試生產(chǎn)，同時(shí)下一代 NAND 節(jié)點(diǎn)的開發(fā)也在按計(jì)劃進(jìn)行，目標(biāo) 2025 日歷年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
回到目前，美光稱其 3/4 的 DRAM 內(nèi)存顆粒位于 1-alpha / beta 先進(jìn)節(jié)點(diǎn)上，而在 NAND 閃存方面更是有 90% 的產(chǎn)能位于 176 層 / 232 層節(jié)點(diǎn)。
來(lái)到產(chǎn)品，在傳統(tǒng)服務(wù)器內(nèi)存方面，美光表示其在業(yè)界率先完成了單層結(jié)構(gòu)的 32Gb 芯片 128GB 服務(wù)器內(nèi)存驗(yàn)證。美光預(yù)計(jì)在接下來(lái)半年內(nèi)該款內(nèi)存模組可實(shí)現(xiàn)數(shù)億美元的營(yíng)收。
而在能實(shí)現(xiàn)更高速率的 MRDIMM 上，美光已宣布開始對(duì) 256GB 單條進(jìn)行采樣。
同時(shí)，對(duì)于 LPCAMM2 模組產(chǎn)品，美光表示服務(wù)器行業(yè)也將采用，在保持 LPDDR 高速低功耗優(yōu)勢(shì)的同時(shí)擁有可插拔的特性。服務(wù)器用 LPCAMM2 模組容量將可達(dá) 128GB。
談到消費(fèi)級(jí)存儲(chǔ)，美光表示其客戶端固態(tài)硬盤產(chǎn)品中 QLC 顆粒的出貨量已創(chuàng)下新高，已占到總體的 2/3，進(jìn)一步鞏固其作為其客戶端 QLC 固態(tài)硬盤領(lǐng)軍者的地位。
作為背景，美光于 2022 年初推出了面向 OEM / SI 的 2400 系列 PCIe Gen4 QLC 固態(tài)硬盤；旗下消費(fèi)級(jí)品牌英睿達(dá)也于當(dāng)年 9 月推出了 P3（Plus）固態(tài)硬盤，部分采用 QLC 閃存。
總體上看，QLC 在消費(fèi)級(jí)的占比上升屬于市場(chǎng)大勢(shì)：參考IT之家報(bào)道，去年致態(tài)在零售端推出了 Ti600，西部數(shù)據(jù)也于近期推出了 PC SN5000S。
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