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三星展示 CMM-B CXL 內(nèi)存盒模組,HBM3E 12H 內(nèi)存上半年量產(chǎn)

2024/3/27 18:04:43 來源:IT之家 作者:溯波(實(shí)習(xí)) 責(zé)編:汪淼

IT之家 3 月 27 日消息,三星電子在近日的存儲領(lǐng)域技術(shù)會議 Memory Con 2024 上展示了新型 CMM-B CXL 內(nèi)存盒模組,并表示包括 32Gb 顆粒 128GB DDR5 內(nèi)存模組在內(nèi)的新品將于上半年量產(chǎn)。

這款名為 CMM-B(CXL Memory Module-Box,CXL 存儲模組-盒裝)的設(shè)備可容納 8 個 E3.S 規(guī)格的 CMM-D CXL 內(nèi)存模組,從而實(shí)現(xiàn) 2TB 的內(nèi)存容量,可以 596 納秒的延遲提供 60GB/s 數(shù)據(jù)帶寬,適合數(shù)據(jù)分析、內(nèi)存數(shù)據(jù)庫、AI 等應(yīng)用。

三星 CMM-B 模組

三星還與 Supermicro 一道推出了基于 CMM-B 的機(jī)架級硬件方案,可在 3 臺設(shè)備間共享內(nèi)存池,提供更大內(nèi)存容量和帶寬。

包含三星 CMM-B 模組的機(jī)架

在 Memory Con 2024 會議上,三星還展示了其 12 層堆疊 HBM3E 內(nèi)存,并表示該產(chǎn)品計(jì)劃于今年上半年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),早于IT之家之前報(bào)道中的表述。

此外,據(jù)《朝鮮日報(bào)》報(bào)道,三星在會議上還表示基于 32Gb DRAM 顆粒的 128GB DDR5 內(nèi)存模組的量產(chǎn)時間也在上半年,未來計(jì)劃在 HBM4 內(nèi)存堆棧的底部應(yīng)用緩沖芯片作為控制設(shè)備。

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關(guān)鍵詞:三星內(nèi)存,CXL,HBM
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