IT之家 4 月 3 日消息，英特爾近日舉辦了一場代工業(yè)務(wù)網(wǎng)絡(luò)研討會。除了展示代工部門獨立計算在財務(wù)上帶來的變化外，該研討會還分享了英特爾代工未來的技術(shù)發(fā)展路線圖。
根據(jù)制程工藝路線圖，英特爾目標(biāo)到 18A 節(jié)點重新成為一流代工廠，并在 14A 節(jié)點確立領(lǐng)先地位。
在功耗方面，目前已有的 Intel 7 節(jié)點落后于競爭對手，英特爾計劃于近期的 Intel 3 節(jié)點與行業(yè)領(lǐng)先企業(yè)（臺積電）相當(dāng)，同時在未來的 18A 節(jié)點實現(xiàn)略好于競爭對手的水平，并于 14A 節(jié)點確認優(yōu)勢。
而在密度方面，目前的 Intel 7 節(jié)點存在明顯劣勢，英特爾希望通過 Intel 3 節(jié)點縮小差距，并在 18A 節(jié)點追上競爭者，而在 14A 節(jié)點上可獲得較小的密度優(yōu)勢。
Intel 7 節(jié)點的晶圓成本明顯高于業(yè)界水平，英特爾希望通過從 Intel 3 到 14A 的演進，逐漸實現(xiàn)較低的晶圓成本。
同時，未來數(shù)年將見證英特爾制程目標(biāo)市場的擴展，到 14A 節(jié)點英特爾將可對外代工移動端產(chǎn)品。
英特爾將逐步彌補在傳統(tǒng) IDM 模式下對外部 EDA 支持的欠缺，將設(shè)計便捷度提升到業(yè)界平均水平。
此外英特爾還將進一步擴大在 2.5D / 3D 等先進封裝技術(shù)上的優(yōu)勢。
作為面向 AI 時代的系統(tǒng)代工廠，英特爾表示將通過多個層面的創(chuàng)新讓摩爾定律繼續(xù)前進。
互連方面，除了適用于 AI 的網(wǎng)卡和芯粒 UCIe 互連，英特爾還將發(fā)力硅光子學(xué)，并豐富在 PCIe、SerDes 領(lǐng)域的技術(shù)儲備。
英特爾目前可通過浸沒式液冷冷卻 1000W TDP 的芯片，目標(biāo)到 2030 年實現(xiàn)對 2000W 芯片的冷卻；
在先進內(nèi)存方向上，英特爾目前可通過 EMIB 連接 8 個 HBM 堆棧，未來該能力將提升至 12 個堆棧乃至更多，同時英特爾也在探索更新的內(nèi)存解決方案。
對于 Foveros 3D Direct 高級封裝，英特爾目標(biāo)到 2027 年左右實現(xiàn) 4 微米的連接間隙。
英特爾此次還給出了更詳細的玻璃基板應(yīng)用時間，這項技術(shù)的運用有望于 2027 年展開，稍晚于IT之家此前報道中三星電機設(shè)立的 2026 年目標(biāo)。
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