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英特爾展望未來代工技術(shù):目標(biāo) 18A 制程重回一流代工廠,14A 節(jié)點確立領(lǐng)先地位

2024/4/3 14:55:48 來源:IT之家 作者:溯波(實習(xí)) 責(zé)編:汪淼

IT之家 4 月 3 日消息,英特爾近日舉辦了一場代工業(yè)務(wù)網(wǎng)絡(luò)研討會。除了展示代工部門獨立計算在財務(wù)上帶來的變化外,該研討會還分享了英特爾代工未來的技術(shù)發(fā)展路線圖。

根據(jù)制程工藝路線圖,英特爾目標(biāo)到 18A 節(jié)點重新成為一流代工廠,并在 14A 節(jié)點確立領(lǐng)先地位

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  • 在功耗方面,目前已有的 Intel 7 節(jié)點落后于競爭對手,英特爾計劃于近期的 Intel 3 節(jié)點與行業(yè)領(lǐng)先企業(yè)(臺積電)相當(dāng),同時在未來的 18A 節(jié)點實現(xiàn)略好于競爭對手的水平,并于 14A 節(jié)點確認優(yōu)勢。

  • 而在密度方面,目前的 Intel 7 節(jié)點存在明顯劣勢,英特爾希望通過 Intel 3 節(jié)點縮小差距,并在 18A 節(jié)點追上競爭者,而在 14A 節(jié)點上可獲得較小的密度優(yōu)勢。

  • Intel 7 節(jié)點的晶圓成本明顯高于業(yè)界水平,英特爾希望通過從 Intel 3 到 14A 的演進,逐漸實現(xiàn)較低的晶圓成本。

  • 同時,未來數(shù)年將見證英特爾制程目標(biāo)市場的擴展,到 14A 節(jié)點英特爾將可對外代工移動端產(chǎn)品。

  • 英特爾將逐步彌補在傳統(tǒng) IDM 模式下對外部 EDA 支持的欠缺,將設(shè)計便捷度提升到業(yè)界平均水平。

  • 此外英特爾還將進一步擴大在 2.5D / 3D 等先進封裝技術(shù)上的優(yōu)勢。

作為面向 AI 時代的系統(tǒng)代工廠,英特爾表示將通過多個層面的創(chuàng)新讓摩爾定律繼續(xù)前進。

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  • 互連方面,除了適用于 AI 的網(wǎng)卡和芯粒 UCIe 互連,英特爾還將發(fā)力硅光子學(xué),并豐富在 PCIe、SerDes 領(lǐng)域的技術(shù)儲備。

  • 英特爾目前可通過浸沒式液冷冷卻 1000W TDP 的芯片,目標(biāo)到 2030 年實現(xiàn)對 2000W 芯片的冷卻;

  • 在先進內(nèi)存方向上,英特爾目前可通過 EMIB 連接 8 個 HBM 堆棧,未來該能力將提升至 12 個堆棧乃至更多,同時英特爾也在探索更新的內(nèi)存解決方案。

  • 對于 Foveros 3D Direct 高級封裝,英特爾目標(biāo)到 2027 年左右實現(xiàn) 4 微米的連接間隙。

  • 英特爾此次還給出了更詳細的玻璃基板應(yīng)用時間,這項技術(shù)的運用有望于 2027 年展開,稍晚于IT之家此前報道中三星電機設(shè)立的 2026 年目標(biāo)。

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關(guān)鍵詞:制程,先進封裝英特爾代工

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