IT之家 5 月 7 日消息，據(jù)韓媒 The Elec 報(bào)道，SK 海力士正向 Tokyo Electron（TEL）發(fā)送測(cè)試晶圓，以測(cè)試后者的低溫蝕刻設(shè)備，有望在未來 NAND 閃存生產(chǎn)中導(dǎo)入。
目前，提升堆疊層數(shù)是提升單顆 3D NAND 閃存顆粒容量的主要途徑。然而在層數(shù)提升的過程中，在閃存顆粒中蝕刻垂直通道的難度隨著深寬比的增高逐漸加大，速度也隨之降低。
廠商不得不考慮將整體 NAND 閃存分割為多個(gè)閃存堆棧制造，之后將各個(gè)堆棧鍵合為一體。不過多堆棧結(jié)構(gòu)在鍵合過程中引入了對(duì)齊等新問題，性能、能效也有所下降。
TEL 的新型低溫蝕刻設(shè)備工作環(huán)境溫度為-70℃，明顯低于現(xiàn)有蝕刻設(shè)備的 0~30℃。
參考IT之家去年報(bào)道，新設(shè)備可在 33 分鐘內(nèi)蝕刻 10 微米，比現(xiàn)有設(shè)備快 3 倍以上；
同時(shí) TEL 的低溫蝕刻設(shè)備采用氟化氫（HF）氣體，相較傳統(tǒng)系統(tǒng)使用的氟碳化物氣體擁有較低的溫室效應(yīng)，更為環(huán)保。
SK 海力士官宣的最新一代 321 層 NAND 閃存采用了三堆棧結(jié)構(gòu)。業(yè)內(nèi)人士預(yù)計(jì)，如果 TEL 的低溫蝕刻設(shè)備效果良好，未來 400 + 層閃存產(chǎn)品有望將堆棧數(shù)量降低到 2 乃至 1。
在另一方面，SK 海力士的主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手之一三星電子則是導(dǎo)入該工具的演示版本對(duì)低溫蝕刻進(jìn)行評(píng)估。
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