IT之家 5 月 28 日消息，據(jù)日媒《日刊工業(yè)新聞》報道，美光將斥資 6000~8000 億日元（IT之家備注：當(dāng)前約 277.2~369.6 億元人民幣），在日本廣島建設(shè)新的 DRAM 內(nèi)存晶圓廠。
該晶圓廠將引進(jìn) EUV 光刻機(jī)，計劃于 2026 年初動工，有望于 2027 年末正式投產(chǎn)。
美光將在 2025 年量產(chǎn)的下代 1-gamma (nm) 節(jié)點正式導(dǎo)入 EUV 光刻技術(shù)?？紤]到 DRAM 行業(yè)的代際周期，美光廣島新工廠屆時將具備生產(chǎn) 1-gamma 乃至 1-delta DRAM 的能力。
報道指，美光原計劃在今年就啟動新晶圓廠的運行，這樣就能在 2025 年量產(chǎn)后的第一時間擴(kuò)充 1-gamma DRAM 制造能力。
但由于此前半導(dǎo)體行業(yè)，尤其是存儲領(lǐng)域的衰退，美光對投資計劃進(jìn)行了調(diào)整，放緩了產(chǎn)能擴(kuò)張的速度。
美光建設(shè)新廠的部分開支將來源于日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省的補(bǔ)貼，這筆資金至高可達(dá) 1920 億日元（當(dāng)前約 88.7 億元人民幣）。
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