IT之家 5 月 29 日消息，韓媒 Business Korea 報(bào)道，三星有望今年 6 月公布 1nm 工藝計(jì)劃，并計(jì)劃將量產(chǎn)計(jì)劃從 2027 年提前至 2026 年。
三星原本計(jì)劃在 2027 年量產(chǎn) SF1.4 工藝，而最新報(bào)道稱將提前至 2026 年。
IT之家從報(bào)道中獲悉，三星電子晶圓代工業(yè)務(wù)部計(jì)劃于 6 月 12 日至 13 日在美國硅谷舉辦晶圓代工和 SAFE 論壇，屆時(shí)將公布其技術(shù)路線圖和加強(qiáng)晶圓代工生態(tài)系統(tǒng)的計(jì)劃。
根據(jù)三星之前的路線圖，2 納米 SF2 工藝將于 2025 年亮相。與 3 納米的第二代 3GAP 工藝相比，在相同頻率和復(fù)雜度的情況下，它的能效提高了 25%，在相同功耗和復(fù)雜度的情況下，它的性能提高了 12%，同時(shí)芯片面積減少了 5%。
臺(tái)積電計(jì)劃在 2027 年達(dá)到 A16 節(jié)點(diǎn)（1.6 納米）。根據(jù) TechNews 此前援引國外媒體的報(bào)道，臺(tái)積電預(yù)計(jì)將于 2027-2028 年左右開始量產(chǎn) 1.4 納米。
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