IT之家 6 月 14 日消息，西部數(shù)據(jù)在前不久的投資者活動上預(yù)覽了 2Tb 容量版本的 BICS8（218 層） QLC NAND 芯片，這也是業(yè)界目前最高密度的閃存芯片。
該存儲顆粒專為滿足數(shù)據(jù)中心與 AI 存儲需求設(shè)計，可進一步降低高容量企業(yè)級固態(tài)硬盤成本，滿足越來越龐大的數(shù)據(jù)存儲需求。
一個閃存顆粒由多個閃存芯片堆疊封裝而成，單芯片 2Tb 意味著西數(shù)可通過 16 層堆疊提供 4TB 容量顆粒，為未來 128TB 乃至 256TB 量級企業(yè)級固態(tài)硬盤鋪平道路。
西部數(shù)據(jù)閃存業(yè)務(wù)總經(jīng)理羅伯特?索德伯里（Robert Soderbery）還在這場活動上展示了 BICS8 2Tb QLC NAND 閃存芯片實物，該芯片的長度與一個指尖的寬度大致相當：
索德伯里表示，該閃存新品即將正式發(fā)布。
回到 BiCS8 技術(shù)上來，西部數(shù)據(jù)-鎧俠此次采用了類似長江存儲 Xtacking 的 CBA 技術(shù)路線，即分別制造存儲堆棧和 CMOS 控制電路，最后將兩部分混合鍵合。
這一模式可在提升閃存讀寫性能的同時，有效提升閃存整體存儲密度，降低運行功耗。
具體在數(shù)值層面，西數(shù)表示，BICS8 顆粒在密度上比競爭對手高出 15~19%，其中 1Tb 版本的 TLC 顆粒擁有與對手 2xxL 1Tb QLC 顆粒相媲美的存儲密度。
而在能效方面，西部數(shù)據(jù)宣稱其 BICS8 閃存在編程能耗（IT之家注：原文 Program Efficiency）方面比競爭對手低 13%。
廣告聲明：文內(nèi)含有的對外跳轉(zhuǎn)鏈接（包括不限于超鏈接、二維碼、口令等形式），用于傳遞更多信息，節(jié)省甄選時間，結(jié)果僅供參考，IT之家所有文章均包含本聲明。