IT之家 6 月 18 日消息,三星半導體近日在技術博客介紹了搭載其目前最新 QLC 閃存(v7)的下一代數(shù)據(jù)中心級固態(tài)硬盤 BM1743。
根據(jù) TrendForce 集邦咨詢 4 月的說法,在 QLC 企業(yè)級 / 數(shù)據(jù)中心級固態(tài)硬盤領域,僅有深耕多年的三星和 SK 海力士旗下 Solidigm 在當時通過了企業(yè)客戶驗證。
相較上代 v5 QLC V-NAND(IT之家注:三星 v6 V-NAND 無 QLC 產(chǎn)品),三星 v7 QLC V-NAND 閃存在堆疊層數(shù)方面幾乎翻了一倍,存儲密度也大幅提升。
同時 v7 QLC V-NAND 的順序讀寫性能至少是此前的兩倍,隨機讀取速度更達到了 4 倍。
這意味著 BM1743 可提供遠超過基于 v5 QLC V-NAND 的上代數(shù)據(jù)中心 QLC 固態(tài)硬盤 BM1733a 的容量和性能,滿足數(shù)據(jù)中心對更優(yōu)秀存儲的需求。
BM1743 包含 U.2 和 E3.S 兩種外形規(guī)格,其中 U.2 版本支持 PCIe 4.0,容量可達 61.44TB,擁有進一步擴展至 122.88TB 的潛力,而 E3.S 版本可支持 PCIe 5.0。
作為對比,BM1733a 僅支持 PCIe 3.0,最大容量也僅有 15.36TB,即 61.44TB 的四分之一。
而在可靠性方面,BM1743 的寫入耐久為 0.26DWPD,斷電數(shù)據(jù)保持時間為 3 個月;BM1733a 的這兩項數(shù)據(jù)分別為 0.18DWPD 和 1 個月。
BM1743 的 2.5 英寸 U.2 版本具體性能如下:
順序讀取 | 順序?qū)懭?/td> | 隨機讀取 | 隨機寫入 |
7200MB/s | 2000MB/s | 1600K IOPS | 110K IOPS |
三星半導體表示,用戶既可以直接在現(xiàn)有 PCIe 3.0 環(huán)境使用 BM1743,享受其更低的 TCO 成本;
也可充分利用 BM1743 支持 PCIe 4.0 帶來的提升,降低讀取任務響應時間,提升 AI 負載處理能力;
而 BM1743 E3.S 版本對 PCIe 5.0 的支持則將為數(shù)據(jù)中心帶來更大的性能優(yōu)勢。
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