IT之家 7 月 3 日消息，鎧俠（Kioxia）公司今天發(fā)布新聞稿，2Tb Quad-Level-Cell（QLC）存儲(chǔ)樣品已經(jīng)開(kāi)始出貨。
2Tb QLC 存儲(chǔ)產(chǎn)品采用第八代 BiCS FLASH 3D 閃存技術(shù)，器件擁有業(yè)內(nèi)最高容量，有望推動(dòng)包括 AI 在內(nèi)多個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域的增長(zhǎng)。
IT之家援引官方新聞稿，鎧俠表示相比較鎧俠目前的第五代 QLC 器件，最新推出的 2Tb QLC 位密度提高了約 2.3 倍，寫(xiě)入能效提高了約 70%。
該產(chǎn)品采用 16 片堆疊架構(gòu)，封裝緊湊，尺寸為 11.5 x 13.5 毫米，高度為 1.5 毫米，總?cè)萘窟_(dá)到 4 TB。
鎧俠表示在生產(chǎn)過(guò)程中使用了專(zhuān)有的 CBA（CMOS 直接綁定到陣列）技術(shù)，該技術(shù)有助于創(chuàng)建更高密度的設(shè)備，并支持更快的 3.6Gbps 接口速度。這些開(kāi)發(fā)旨在滿足對(duì)功耗和空間效率要求極高的應(yīng)用日益增長(zhǎng)的需求。
鎧俠還擴(kuò)展了產(chǎn)品線，推出了 1Tb QLC 存儲(chǔ)器，專(zhuān)為客戶端固態(tài)硬盤(pán)和移動(dòng)設(shè)備等性能敏感型應(yīng)用而設(shè)計(jì)，與 2Tb 型號(hào)相比，該型號(hào)的連續(xù)寫(xiě)入性能提高了約 30%，讀取延遲時(shí)間縮短了約 15%。
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