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SK 海力士:HBM 內(nèi)存復合年增長率高達 70%,未來低價后有望進入消費級設(shè)備

2024/7/5 17:29:06 來源:IT之家 作者:溯波(實習) 責編:溯波

IT之家 7 月 5 日消息,據(jù)韓媒 ETNews 報道,SK 海力士副總裁兼封裝技術(shù)開發(fā)負責人 Moon Ki-ill 在昨 (4) 日于首爾舉辦的活動上表示,預計 HBM 內(nèi)存的復合年增長率(CAGR)將達到 70%。

Moon Ki-ill 表示,市場研究機構(gòu) TrendForce 集邦咨詢曾認為 2021~2027 年 HBM 內(nèi)存市場的 CAGR 將為 26.4%,但下游客戶的需求遠遠超過了第三方機構(gòu)的預期。

根據(jù)IT之家以往報道,以 SK 海力士為首的三大 DRAM 企業(yè)已基本售罄 2025 年的 HBM 供應(yīng)。

SK海力士 HBM3E 內(nèi)存

▲ SK 海力士 HBM3E 內(nèi)存

Moon Ki-ill 還提到,HBM 目前主要用于 AI 加速器,但未來價格下降后有望滲透到以 PC 和移動設(shè)備為代表的消費級市場。

AMD 曾在 GCN 架構(gòu)世代推出過數(shù)款搭載 HBM 內(nèi)存的高端消費級顯卡(IT之家注:如 RX Vega 64、R9 Fury X 等),但那之后 HBM 就退出了消費級的視野。

Moon Ki-ill 稱:“SK 海力士正在為 16 和 20 層堆疊的 HBM 內(nèi)存生產(chǎn)準備混合鍵合技術(shù),這將使它們在價格上更具競爭力。”

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