IT之家 7 月 9 日消息，工信部今日發(fā)布公告，對《光伏制造行業(yè)規(guī)范條件（2024 年本）》《光伏制造行業(yè)規(guī)范公告管理辦法（2024 年本）》（征求意見稿）公開征求意見。
《光伏制造行業(yè)規(guī)范條件（2024 年本）》（征求意見稿）中提到，引導(dǎo)光伏企業(yè)減少單純擴大產(chǎn)能的光伏制造項目，加強技術(shù)創(chuàng)新、提高產(chǎn)品質(zhì)量、降低生產(chǎn)成本。新建和改擴建光伏制造項目，最低資本金比例為 30%。
IT之家注意到，《光伏制造行業(yè)規(guī)范條件（2024 年本）》（征求意見稿）中指出，光伏制造項目電耗應(yīng)滿足以下要求：
現(xiàn)有多晶硅項目還原電耗小于 46 千瓦時 / 千克，綜合電耗小于 60 千瓦時 / 千克；新建和改擴建項目還原電耗小于 44 千瓦時 / 千克，綜合電耗小于 57 千瓦時 / 千克。
現(xiàn)有硅錠項目平均綜合電耗小于 7.5 千瓦時 / 千克，新建和改擴建項目小于 6.5 千瓦時 / 千克；如采用多晶鑄錠爐生產(chǎn)準(zhǔn)單晶或高效多晶產(chǎn)品，項目平均綜合電耗的增加幅度不得超過 0.5 千瓦時 / 千克。
現(xiàn)有硅棒項目平均綜合電耗小于 26 千瓦時 / 千克，新建和改擴建項目小于 23 千瓦時 / 千克。
現(xiàn)有多晶硅片項目平均綜合電耗小于 25 萬千瓦時 / 百萬片，新建和改擴建項目小于 20 萬千瓦時 / 百萬片；現(xiàn)有單晶硅片項目平均綜合電耗小于 10 萬千瓦時 / 百萬片，新建和改擴建項目小于 8 萬千瓦時 / 百萬片。
P 型晶硅電池項目平均綜合電耗小于 5 萬千瓦時 / MWp，N 型晶硅電池項目平均綜合電耗小于 7 萬千瓦時 / MWp。
晶硅組件項目平均綜合電耗小于 2.5 萬千瓦時 / MWp，薄膜組件項目平均電耗小于 40 萬千瓦時 / MWp。
《光伏制造行業(yè)規(guī)范條件（2024 年本）》（征求意見稿）還提到，新建和改擴建企業(yè)及項目產(chǎn)品應(yīng)滿足以下要求：
多晶硅滿足《電子級多晶硅》（GB / T12963）3 級品以上要求或《流化床法顆粒硅》（GB / T35307）特級品的要求。
多晶硅片（含準(zhǔn)單晶硅片）少子壽命不低于 2.5μs，碳、氧含量分別小于 6ppma 和 8ppma；P 型單晶硅片少子壽命不低于 90μs，N 型單晶硅片少子壽命不低于 1000μs，碳、氧含量分別小于 1ppma 和 12ppma，其中異質(zhì)結(jié)電池用 N 型單晶硅片少子壽命不低于 700μs，碳、氧含量分別小于 1ppma 和 14ppma。
多晶硅電池、P 型單晶硅電池和 N 型單晶硅電池（雙面電池按正面效率計算）的平均光電轉(zhuǎn)換效率分別不低于 21.7%、23.7% 和 26%。
多晶硅組件、P 型單晶硅組件和 N 型單晶硅組件（雙面組件按正面效率計算）的平均光電轉(zhuǎn)換效率分別不低于 19.7%、21.8% 和 23.1%。CIGS、CdTe 及其他薄膜組件的平均光電轉(zhuǎn)換效率分別不低于 16%、16.5%、15%。
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