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華碩發(fā)布 NitroPath DRAM 內(nèi)存插槽技術(shù),頻率可提升至多 400MT/s

2024/8/21 10:43:56 來(lái)源:IT之家 作者:溯波(實(shí)習(xí)) 責(zé)編:溯波

IT之家 8 月 21 日消息,隨著 ROG、ROG Strix X870 (E) 主板的發(fā)布,華碩也一道推出了 NitroPath DRAM 技術(shù)。該技術(shù)可為高端 DDR5 內(nèi)存主板提供更強(qiáng)大的內(nèi)存性能。

華碩表示,NitroPath DRAM 技術(shù)通過(guò)其獨(dú)有的布局布線提高內(nèi)存速度。這種尖端設(shè)計(jì)通過(guò)縮短金手指引腳和優(yōu)化主板內(nèi)的信號(hào)通路來(lái)減少噪音干擾。

信號(hào)傳輸更流暢、噪音和反射更少,意味著用戶可在采用 NitroPath DRAM 的主板上實(shí)現(xiàn)更高的內(nèi)存頻率,至多可達(dá)額外 400MT/s。此外這一設(shè)計(jì)即使在嚴(yán)苛負(fù)載下也能提升系統(tǒng)穩(wěn)定性。

不僅如此,NitroPath DRAM 也提升了插槽牢固程度,使內(nèi)存槽擁有更優(yōu)秀的抗側(cè)向力能力和保持力、更抗內(nèi)存安裝過(guò)程產(chǎn)生的磨損,這對(duì)需要升級(jí)或更換內(nèi)存條的發(fā)燒友而言具有明顯價(jià)值。

IT之家獲悉,華碩在 ROG Crosshair X870E Hero 和 ROG Strix X870E-E Gaming WiFi 兩款主板上率先引入了 NitroPath DRAM 技術(shù)。

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關(guān)鍵詞:華碩,主板,內(nèi)存條
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