IT之家 9 月 10 日消息，日本信越化學當?shù)貢r間本月 3 日宣布成功開發(fā)出用于氮化鎵 GaN 外延生長的 300mm（IT之家注：一般也稱 12 英寸）的 QST 襯底，并已從近期開始向客戶供應相關樣品。
相較于以 12 英寸晶圓為主流的硅半導體，氮化鎵生產(chǎn)目前仍集中在 6 英寸與 8 英寸上，這其中部分是因為氮化鎵和硅熱存在熱膨脹系數(shù)差異，大尺寸硅基襯底容易導致在其上生長的氮化鎵外延層出現(xiàn)翹曲與開裂。
信越化學的 QST 襯底技術源自美國企業(yè) Qromis 的專利授權，這一復合材料具有同氮化鎵更為接近的熱膨脹系數(shù)，減少了大尺寸襯底上氮化鎵外延層出現(xiàn)缺陷的風險，更適宜大厚度、高電壓氮化鎵器件的制造。
信越化學此前已推出 6 英寸和 8 英寸的 QST 襯底，此次 12 英寸款開發(fā)成功有助于提升氮化鎵生產(chǎn)規(guī)模、降低遠期產(chǎn)線持續(xù)運行成本，從而推低氮化鎵產(chǎn)品的價格、加速氮化鎵器件的普及。
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