IT之家 10 月 17 日消息，據(jù)韓媒 ZDNET Korea 當?shù)貢r間 15 日報道，三星電子 HBM3E 產(chǎn)品遲遲未能完整通過最大需方英偉達認證并開始供貨是因為受到該內(nèi)存的基礎 14nm 級 DRAM 的拖累。
報道提到三星電子的 36GB 容量 HBM3E 12H 內(nèi)存可能直到 2025 年第 2~3 季度才能啟動供應。
三星電子的 HBM3E 產(chǎn)品完全依賴于其 14nm 級（IT之家注：即 1a nm）DRAM，而另外兩家主要 HBM 內(nèi)存企業(yè) SK 海力士與美光的產(chǎn)品則基于 1b DRAM，三星天然存在相對工藝劣勢。
此外三星電子在其 12nm 級（1b nm）DRAM 的最初設計中并未考慮到 HBM 領域的用途，因此三星無法立即調(diào)整 HBM3E 內(nèi)存的 DRAM Die 選用。
不僅如此，三星電子的 1a DRAM 本身也存在工藝和設計兩方面的問題：
三星電子在內(nèi)存領域?qū)?EUV 技術(shù)上采取較激進策略，以期提升競爭力的同時降低制造成本，其 1a DRAM 擁有 5 個 EUV 層，多于 SK 海力士同期產(chǎn)品。但由于 EUV 工藝復雜，穩(wěn)定性欠佳，三星 1a DRAM 產(chǎn)品未能如預期降低成本。
此外三星的 1a DRAM 設計本身也存在不足，導致對應 DDR5 服務器內(nèi)存條獲得英特爾產(chǎn)品認證時機晚于競爭對手 SK 海力士。
消息人士透露，三星電子內(nèi)部目前正在討論是否其 1a DRAM 的部分電路進行重新設計，但并未就這一存在各種風險的選擇進行最終決定：因為至少需要 6 個月才能完成新的設計，要到明年第二季度才能進行批量生產(chǎn)，難以向下游廠商及時交付。
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