IT之家 11 月 8 日消息，韓媒 ZDNET Korea 昨日?qǐng)?bào)道稱，三星電子內(nèi)部已于三季度決定調(diào)整平澤 P4 制造綜合體一期（Phase 1）的產(chǎn)能分配，從純 NAND 調(diào)整為 NAND + DRAM。
這也可從該生產(chǎn)線的內(nèi)部代號(hào)名稱更改中看出來(lái)：該產(chǎn)線原名 P4F，尾部的 F 即指 Flash 閃存；而現(xiàn)名是 P4H，H 是 Hybrid 的簡(jiǎn)寫，顯示產(chǎn)線不只支持一個(gè)大類的半導(dǎo)體工藝。
平澤 P4 一期現(xiàn)已部分進(jìn)駐 NAND 閃存生產(chǎn)設(shè)備，三星電子目前計(jì)劃到年底將該產(chǎn)線 NAND 生產(chǎn)能力提升至每月 1 萬(wàn)片晶圓，不過(guò)由于市場(chǎng)的不確定性，到明年中才有可能為 V9 QLC NAND 等先進(jìn)產(chǎn)品作進(jìn)一步投資。
而在 DRAM 生產(chǎn)部分，平澤 P4 一期未來(lái)有望具備 3~4 萬(wàn)片晶圓的月產(chǎn)能，工藝方面則是引入三星目前最為先進(jìn)的 1a、1b nm（IT之家注：即 14nm 級(jí)與 12nm 級(jí)），以應(yīng)對(duì)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的產(chǎn)能擴(kuò)張，并在三星內(nèi)部其它 DRAM 產(chǎn)線工藝升級(jí)之時(shí)保證供應(yīng)充足。
三星電子平澤 P4 制造綜合體總共包含四期生產(chǎn)線，其中三期 DRAM 產(chǎn)線即將開(kāi)建，二期 Foundry 代工產(chǎn)線則暫緩。
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