IT之家 11 月 11 日消息，佰維存儲(chǔ)今日推出了 LPDDR5X 內(nèi)存，產(chǎn)品采用了 1bnm 制程工藝，與上一代產(chǎn)品相比，數(shù)據(jù)傳輸速率提高 33% 至 8533Mbps，功耗降低 25%，容量為 8GB、12GB、16GB（ES 階段），用于旗艦智能手機(jī)等終端設(shè)備。
佰維 LPDDR5X 的數(shù)據(jù)傳輸速率可達(dá) 8533Mbps，較上代產(chǎn)品提升 33%。這一提升主要得益于 LPDDR5X 采用了更先進(jìn)的時(shí)鐘技術(shù)和電路設(shè)計(jì)，支持更高的時(shí)鐘頻率，從而實(shí)現(xiàn)更快的數(shù)據(jù)傳輸。同時(shí)，為了在更高的頻率下保持信號(hào)的穩(wěn)定性和可靠性，LPDDR5X 引入了更先進(jìn)的信號(hào)完整性和抗干擾技術(shù)。
此外，LPDDR5X 通過(guò)降低電壓擺幅和采用更高效的驅(qū)動(dòng)器和接收器設(shè)計(jì)，提高了信號(hào)的驅(qū)動(dòng)能力和接收靈敏度，從而支持更高的數(shù)據(jù)傳輸速率。
LPDDR5X 還優(yōu)化了內(nèi)部時(shí)序參數(shù)，降低了 CAS Latency，減少了數(shù)據(jù)訪問(wèn)等待時(shí)間，并通過(guò)改進(jìn)行激活時(shí)間和行預(yù)充電時(shí)間，提高了整體效率。
佰維 LPDDR5X 采用了 1bnm 制程工藝，產(chǎn)品通過(guò)降低輔助電源電壓（VDD2），減少了整體功耗。產(chǎn)品還進(jìn)一步優(yōu)化了動(dòng)態(tài)電壓和頻率調(diào)節(jié)技術(shù)（DVFS），可根據(jù)實(shí)際負(fù)載情況動(dòng)態(tài)調(diào)整工作電壓和頻率；在空閑時(shí)進(jìn)入深度睡眠模式（Deep-sleep mode），降低功耗，延長(zhǎng)電池壽命。
此外，LPDDR5X 引入了自適應(yīng)刷新技術(shù)，可根據(jù)實(shí)際工作條件動(dòng)態(tài)調(diào)整刷新周期。這使得內(nèi)存可以在保持?jǐn)?shù)據(jù)完整性的同時(shí)，減少不必要的刷新操作，從而降低功耗。IT之家附一圖知如下：
測(cè)試方面，佰維存儲(chǔ)采用了半導(dǎo)體測(cè)試機(jī)臺(tái) Advantest T5503HS2，并結(jié)合自研的自動(dòng)化測(cè)試設(shè)備，以及自研測(cè)試軟件平臺(tái)、核心測(cè)試算法，覆蓋了從設(shè)計(jì)驗(yàn)證到量產(chǎn)測(cè)試的全過(guò)程。
廣告聲明：文內(nèi)含有的對(duì)外跳轉(zhuǎn)鏈接（包括不限于超鏈接、二維碼、口令等形式），用于傳遞更多信息，節(jié)省甄選時(shí)間，結(jié)果僅供參考，IT之家所有文章均包含本聲明。