IT之家 11 月 18 日消息，英特爾昨日發(fā)文介紹了其至強 6 性能核 "Granite Rapids" 處理器支持的新型 DDR5 MRDIMM（IT之家注：多路復用雙列直插式內(nèi)存模塊）背后的故事。
英特爾 DCAI 事業(yè)部內(nèi)存開發(fā)資深首席工程師 George Vergis 表示，大多數(shù) DIMM 都擁有 2 個 Rank（陣列）以實現(xiàn)性能和容量間的平衡。而在服務器處理器支持的傳統(tǒng) RDIMM 上，雖然可以讓獨立存儲和數(shù)據(jù)訪問發(fā)生在多個 Rank 間，但卻無法同時進行，導致并行資源無法被充分利用。
這使得 Vergis 想到在 DRAM 模塊上配置 1 個小型多路復用器（MUX）接口芯片，從而讓數(shù)據(jù)可以于同一時刻在兩個 Rank 上并行傳輸。
Vergis 帶領團隊自 2018 年開始研發(fā) MRDIMM，并于 2021 年完成了原型概念驗證。英特爾在 2022 年底將 MRDIMM 組件規(guī)格作為新的開放標準捐贈給了行業(yè)標準制定組織 JEDEC。
在至強 6 性能核處理器上，標準 DDR5 RDIMM 僅可實現(xiàn) 6400MT/s 的數(shù)據(jù)傳輸速率，而 MRDIMM 在無需調(diào)整主板設計的情況下可達到 8800MT/s，峰值帶寬提高近 40%，緩解了現(xiàn)代處理器核心數(shù)量飆升帶來的每核心內(nèi)存帶寬下降問題。
MRDIMM 尤其適用于科學計算和小語言模型、傳統(tǒng)深度學習、推薦系統(tǒng)等特定工作負載，可解決這些工作場景中面臨的內(nèi)存帶寬瓶頸。
英特爾表示，一些領先的存儲廠商已經(jīng)推出 MRDIMM，更多廠商將會陸續(xù)發(fā)布他們的產(chǎn)品；一些研究機構(gòu)也正在積極采用支持 MRDIMM 技術(shù)的至強 6 性能核處理器。
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