雷克沙最近推出了一款專門針對 AMD 平臺(tái)設(shè)計(jì)的內(nèi)存新品，它就是擁有 C26 低時(shí)序的雷克沙戰(zhàn)神之翼 ARES RGB DDR5 6000 內(nèi)存，它搭載了海力士 A Die 顆粒，而且還是目前 SK 海力士官方唯一認(rèn)證內(nèi)存，可以做到 EXPO 模式下低至 C26 的時(shí)序，并帶來更強(qiáng)勁的性能表現(xiàn)。
大家都知道 AMD 平臺(tái)的內(nèi)存甜品頻率是 6000MHz，再往上拉高內(nèi)存頻率意義不大，甚至還可能帶來負(fù)面效果。那么當(dāng)目前最低時(shí)序的雷克沙 ARES RGB DDR5 6000 戰(zhàn)神之翼內(nèi)存遇上“最強(qiáng)游戲處理器”的 AMD 銳龍 7 X3D 系列，又會(huì)給玩家?guī)碓鯓拥捏@喜呢？
一、外觀設(shè)計(jì)
雷克沙戰(zhàn)神之翼 ARES RGB DDR5 6000 內(nèi)存整體采用黑色磨砂金屬馬甲 + 頂部亞克力柔光罩拼色設(shè)計(jì)，兩側(cè)包裹了一圈厚實(shí)的 1.8mm 全鋁散熱馬甲，增強(qiáng)散熱效率的同時(shí)讓內(nèi)存運(yùn)行更加穩(wěn)定，亞克力柔光罩內(nèi)還設(shè)計(jì)了淺灰色紋理裝飾。
尺寸方面，雷克沙戰(zhàn)神之翼 ARES RGB DDR5 6000 內(nèi)存的三圍分別是 133.3*51.5*8mm，重量則是單條 86g 左右，拿上手的份量感十足。
金屬馬甲左右兩側(cè)中心位置均印有 Lexar 和 ARES 的品牌 Logo，并通過產(chǎn)品標(biāo)簽條來區(qū)分正反面。根據(jù)官方介紹散熱馬甲內(nèi)部配有專屬 PMIC 導(dǎo)熱墊，10 層定制 PCB，并優(yōu)化了 PCB 部分的排線布局，能夠帶來更好的電氣性能，傳輸效率和散熱表現(xiàn)，還支持實(shí)時(shí)溫度監(jiān)控，能夠提升超頻的安全性和穩(wěn)定性。
導(dǎo)光罩頂部也印有 Lexar 的 Logo，內(nèi)置 8 顆高亮 LED 燈珠，支持多達(dá) 13 種燈效模式預(yù)設(shè)，1680 萬色可選，支持主流主板產(chǎn)品的燈光同步功能，用戶可以隨心自定義豐富的燈光效果。
二、內(nèi)存信息
如開頭提到的那樣，我們這次拿到的雷克沙戰(zhàn)神之翼 ARES RGB DDR5 6000 內(nèi)存采用的是 6000MT/s 頻率 + C26 低時(shí)序版本，官方標(biāo)準(zhǔn)的時(shí)序?yàn)?CL26-38-38-68，電壓要求是 1.45V。
首先通過 Thaiphoon Bunne 臺(tái)風(fēng)軟件對它的內(nèi)存顆粒信息進(jìn)行讀取，在生產(chǎn)商一欄寫有 ShenZhen Longsys Electronics Co.Ltd，也就是深圳江波龍電子股份有限公司。內(nèi)存顆粒為海力士，A Die 顆粒，速率等級一欄的基礎(chǔ)速率為 DDR5 5600，EXPO 運(yùn)行規(guī)格為 3000MHz /26-36-36-68-104/1.45V，支持 EXPO 技術(shù)。
三、性能超頻
性能部分，我們主要看看在默頻、EXPO、調(diào)整小參和超頻等情況下，內(nèi)存的讀寫速度表現(xiàn)及延遲水平如何。
可以看到，在默頻情況下我們對比了相同容量 DDR5 6000MHz C28 的條子，雷克沙給到的頻率更高，即使在 B650 平臺(tái)受到一些限制的情況下，默頻也能達(dá)到 5200MHz，但時(shí)序壓到了 42，而標(biāo)稱 C28 內(nèi)存條在 4800MHz 的默頻下時(shí)序是 C40，對比跑分結(jié)果來看：
雷克沙戰(zhàn)神之翼 ARES RGB DDR5 6000 內(nèi)存的寫入速度優(yōu)勢明顯，達(dá)到了 7.7% 的提升，而讀取速度和拷貝速度由于時(shí)序更高，所有優(yōu)勢不算明顯，內(nèi)存延遲雙方基本一致，都是 88ns 左右。
進(jìn)入主板 BIOS 分別設(shè)置了 EXPO 1 和 EXPO 低延遲自動(dòng)超頻后，雷克沙戰(zhàn)神之翼 ARES RGB DDR5 6000 內(nèi)存的時(shí)序恢復(fù)到標(biāo)稱的 C26-36-36-68 CR1，讀寫性能顯著提升，讀取和拷貝速度分別達(dá)到了 60000MB/s 和 63000MB/s 左右，寫入速度分別達(dá)到 81000MB/s 和 88000MB/s，延遲降低到 70.6ns 和 65.4ns，相比默頻模式下：
EXPO 1 模式讀取速度提升 16.5%，寫入速度提升 19.3%，拷貝速度提升 16.6%，延遲降低了 19.9%。
EXPO 低延遲模式讀取速度提升 23.9%，寫入速度提升 30.2%，拷貝速度提升 22.9%，延遲降低了 25.8%。
接著我們對小參進(jìn)行優(yōu)化，對于 DDR5 內(nèi)存來說在不提升內(nèi)存頻率的情況下，想要在 EXPO 內(nèi)存超頻后繼續(xù)提升性能，小參的優(yōu)化對性能的影響絕對不能忽視。
我們進(jìn)入 BIOS 一番操作后，效果還是比較明顯的，此時(shí)內(nèi)存的讀取和拷貝速度進(jìn)一步提升，分別在 66000MB/s 和 65900MB/s 左右，寫入速度提升到 92000MB/s，延遲進(jìn)一步降低到了 63.7ns。
最后，我們進(jìn)一步調(diào)整參數(shù)，對內(nèi)存進(jìn)行手動(dòng)超頻，將內(nèi)存頻率直接拉到 6400MHz，看看雷克沙戰(zhàn)神之翼 ARES RGB DDR5 6000 內(nèi)存的性能是否還能進(jìn)一步提升。
可以看到，將頻率拉到 6400MHz 之后，內(nèi)存時(shí)序也相應(yīng)調(diào)整為 C28-36-36-68 CR1，進(jìn)入系統(tǒng)后順利跑分，此時(shí)的內(nèi)存性能提升有所放緩，但內(nèi)存讀寫速度已逼近 70000MB/s，寫入速度逼近 100GB/s，內(nèi)存延遲下降至 60.8ns。如果搭配 7950X，9900X 這樣線程數(shù)更高的 CPU，跑分性能依舊有提升空間。
當(dāng)然，超頻環(huán)節(jié)還需要進(jìn)行內(nèi)存穩(wěn)定性測試，畢竟大家買內(nèi)存回去可不是為了跑分好看，所以IT之家也通過游戲加加的內(nèi)存穩(wěn)定性測試對調(diào)整小參和超頻狀態(tài)下的內(nèi)存進(jìn)行檢驗(yàn)，結(jié)果在 1 小時(shí)累計(jì) 13 輪循環(huán)內(nèi)存燒機(jī)后，調(diào)整小參的雷克沙戰(zhàn)神之翼 ARES RGB DDR5 6000 內(nèi)存實(shí)現(xiàn) 0 報(bào)錯(cuò)，順利通過測試；而 6400MHz C28 的超頻模式在第 3 輪循環(huán)時(shí)出現(xiàn)報(bào)錯(cuò)，建議大家日常使用還是保持在 6000MHz 運(yùn)行。
另外要提一點(diǎn)，雖然本次測試基于銳龍 7 7800X3D 處理器 + 華碩 TUF B650 GAMING PLUS 主板這個(gè)配置組合，但我們也簡單測了下更高頻率的異步模式和另外兩套更高配置（銳龍 9 9900X + X870E / 銳龍 7 9800X3D + X870E）的表現(xiàn)。
首先異步模式搭配了一套 DDR5 7600MHz C36 內(nèi)存，EXPO 低延遲模式下的內(nèi)存讀寫表現(xiàn)大體相當(dāng)于銳龍 7 7800X3D + B650 平臺(tái)上調(diào)整小參下的表現(xiàn)，但內(nèi)存延遲止步于 70ns 左右，證明了異步模式高頻內(nèi)存如果不手動(dòng)優(yōu)化參數(shù)，表現(xiàn)是不如同步模式的 6000MHz 低時(shí)序條子的表現(xiàn)的。
而另外兩套定位和用料更高的配置組合，即使手動(dòng)調(diào)整小參，也依舊比不過銳龍 7 7800X3D + B650 平臺(tái)上同樣一套小參設(shè)置后的表現(xiàn)，特別是內(nèi)存延遲均止步于 70ns，很有意思。
最后來看看內(nèi)存溫度表現(xiàn)，我們直接通過 AIDA64 進(jìn)行內(nèi)存烤機(jī)，10 分鐘后其自帶傳感器顯示內(nèi)存核心溫度最高只有 42°，看來雷克沙超規(guī)格的 10 層 PCB、鋁鎂合金散熱馬甲和 PMIC 專屬導(dǎo)熱硅脂墊片這些用料非常到位，散熱表現(xiàn)符合旗艦水平。
與此同時(shí)，我們還通過測溫設(shè)備對 AIDA64 內(nèi)存跑分時(shí)的內(nèi)存表面溫度進(jìn)行了測試，每個(gè)游戲測一次，取四次中的最高值，測溫設(shè)備選擇專業(yè)模式下的局部測溫，盡量減少測試誤差。其中 AIDA64 跑分時(shí)內(nèi)存表面最高溫度為 49.2 度，平均溫度為 45 度。
四、游戲表現(xiàn)
看到這相信大家也比較好奇，低時(shí)序和低延遲對處理器游戲性能的影響究竟有多大。所以接下來我們就通過幾款主流游戲的表現(xiàn)，對比一下 C26 時(shí)序和 C28 時(shí)序內(nèi)存的性能差異。測試的游戲以在線網(wǎng)游和端游為主，統(tǒng)一采用 BIOS EXPO 低延遲模式 + 1080P 分辨率下進(jìn)行。
1、《CS2》
第一款游戲《CS2》，作為受眾最廣和活躍玩家數(shù)最多的在線競技游戲，雖然優(yōu)化做得不錯(cuò)，但依舊很吃內(nèi)存性能，使用 1080P 高畫質(zhì)運(yùn)行創(chuàng)意工坊 FPS BenchMark 地圖：
DDR5 6000MHz C28 內(nèi)存的游戲平均幀數(shù)為 544 幀，1% Low 幀 184 幀；
DDR5 6000MHz C26 內(nèi)存的游戲平均幀數(shù)為 555 幀，1% Low 幀 192 幀；
可以看到，盡管領(lǐng)先的幀數(shù)不是很多，但 C26 更低時(shí)序的內(nèi)存，無論是游戲平均幀還是 1% Low 幀表現(xiàn)上均有優(yōu)勢。另外，更低的內(nèi)存延遲也讓游戲的延遲大幅降低，直接從 13ms 降低到 5ms，對于這類競技游戲的重要性比幀數(shù)還要重要。
2、《無畏契約》
另一款非?；鸨脑诰€競技游戲《無畏契約》幀數(shù)上限更高，在IT之家的實(shí)測中：
DDR5 6000MHz C28 內(nèi)存的游戲平均幀數(shù)為 919 幀，1% Low 幀 438 幀；
DDR5 6000MHz C26 內(nèi)存的游戲平均幀數(shù)為 1030 幀，1% Low 幀 493 幀；
這個(gè)游戲幀數(shù)差距相比《CS2》大了不少，游戲平均幀數(shù)的提升達(dá)到了 12%，1% Low 幀也有 55 幀的差距，而在游戲延遲上的表現(xiàn)和《CS2》近乎一致，從 13ms 降低到 2ms，性能提升非常明顯。
3、《PUBG: 絕地求生》
《PUBG: 絕地求生》是公認(rèn)最吃內(nèi)存性能的在線競技游戲之一，在IT之家的實(shí)測中：
DDR5 6000MHz C28 內(nèi)存的游戲平均幀數(shù)為 371 幀，1% Low 幀 206 幀；
DDR5 6000MHz C26 內(nèi)存的游戲平均幀數(shù)為 404 幀，1% Low 幀 217 幀；
C26 內(nèi)存的游戲平均幀數(shù)提升了 8.8%，1% Low 幀提升了 11 幀，低時(shí)序的優(yōu)勢得以發(fā)揮。
4、《絕區(qū)零》
絕區(qū)零作為一款端游，對 CPU 和內(nèi)存性能的要求非常非常高，即使是 9800X3D 這樣的“最強(qiáng)游戲處理器”，在 1080P 最高畫質(zhì)下也只能勉強(qiáng)達(dá)到 200 幀，而 7800X3D 采用相同游戲設(shè)置進(jìn)行跑圖測試：
DDR5 6000MHz C28 內(nèi)存的游戲平均幀數(shù)為 177 幀，1% Low 幀 94 幀；
DDR5 6000MHz C26 內(nèi)存的游戲平均幀數(shù)為 190 幀，1% Low 幀 100 幀；
雷克沙這款 C26 內(nèi)存的游戲平均幀數(shù)相比 C28 內(nèi)存提升了 7.3%，1% Low 幀也有 6 幀的領(lǐng)先，游戲性能距離 9800X3D 又更進(jìn)一步。
5、《賽博朋克：2077》
雖然 3A 游戲更吃顯卡性能，內(nèi)存性能的提升相比網(wǎng)游更加局限，但我們還是簡單測了下這款游戲的表現(xiàn)：
DDR5 6000MHz C28 內(nèi)存的游戲平均幀數(shù)為 199 幀，1% Low 幀 120 幀；
DDR5 6000MHz C26 內(nèi)存的游戲平均幀數(shù)為 200 幀，1% Low 幀 131 幀；
很明顯，2 條內(nèi)存在游戲平均幀數(shù)上僅有 1 幀之差，可以忽略不計(jì)。不過重點(diǎn)是 C26 內(nèi)存的 1% Low 幀比 C28 內(nèi)存高了 11 幀，這個(gè)提升還是很有用的，尤其是搭配甜品顯卡時(shí)，可能就是能不能達(dá)到 60 幀流暢及格線的差距了。
五、總結(jié)
看到這里相信大家都比較清楚了，即使不超內(nèi)存頻率，低時(shí)序帶來的更低內(nèi)存延遲也能對游戲幀數(shù)產(chǎn)生重要影響，尤其是在網(wǎng)游中。雖然本次我們只測試了已經(jīng)配備大三緩來提升緩存命中率的 X3D 處理器，但部分游戲的性能提升仍可達(dá)到 10% 以上，而且競技游戲本身無需借助顯卡的 AI 低延遲功能，就可實(shí)現(xiàn)最佳的延遲表現(xiàn)。
除了游戲，內(nèi)存本身通過壓低時(shí)序，也能顯著提高其讀寫性能水平，對于生產(chǎn)力也有一定的幫助，這樣一款性能全面提升的產(chǎn)品，無疑是“全都要”用戶最佳的選擇。
尤其是對于正在使用 AMD 平臺(tái)的用戶而言，雷克沙戰(zhàn)神之翼 ARES RGB DDR5 6000 C26 內(nèi)存可以說是當(dāng)下專為游戲發(fā)燒友準(zhǔn)備的特挑內(nèi)存，它擁有 SK 海力士官方的原廠顆粒認(rèn)證，無需手動(dòng)超頻即可滿足游戲性能的最大化需求，還有著不錯(cuò)的散熱表現(xiàn)和炫酷的 RGB 燈光。硬核玩家仍可以憑借經(jīng)驗(yàn)和知識，通過手動(dòng)超頻獲得更強(qiáng)性能，無論你是哪種玩家它都能滿足需求。
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