IT之家 1 月 17 日消息，英偉達(dá) CEO 黃仁勛近日出席了中國(guó)大陸地區(qū)分公司的年會(huì)，網(wǎng)傳原計(jì)劃前往北京、上海等地進(jìn)行訪問，但已更改行程前往臺(tái)中。
據(jù)臺(tái)媒經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào) 1 月 16 日?qǐng)?bào)道，黃仁勛出席了其供應(yīng)商矽品精密的新工廠揭幕儀式，在活動(dòng)中黃仁勛表示：“英偉達(dá)正經(jīng)歷封裝技術(shù)的遷移，由此前的 CoWoS-S 技術(shù)逐步轉(zhuǎn)換為更新的 CoWoS-L 技術(shù)，這實(shí)際上將需要增加 CoWoS-L 產(chǎn)能?！?/p>
IT之家注意到，早在 1 月 13 日，野村證券分析師鄭明宗就已指出英偉達(dá)將會(huì)減少至多 80% 的采用臺(tái)積電先進(jìn)封裝的 CoWoS-S 訂單，天風(fēng)證券分析師郭明錤于 1 月 15 日同樣指出由于英偉達(dá) Hopper 架構(gòu)芯片停產(chǎn)，2025 年 CoWoS-S 的需求將顯著減少。因此英偉達(dá) CEO 黃仁勛的發(fā)言更是進(jìn)一步證實(shí)了該傳言的可信度。
IT之家注：臺(tái)積電將 CoWoS 封裝技術(shù)劃分為三種類型，分別為 CoWoS-S、CoWoS-R、CoWoS-L。
CoWoS-S 采用單片硅中介層和硅通孔（TSVs）以實(shí)現(xiàn)晶片（Die）與基板之間的高速電信號(hào)直接傳輸，該技術(shù)的傳輸效率較高，但是存在良率問題，因此制造成本較高。
CoWoS-R 采用 RDL 有機(jī)中介層代替了 CoWoS-S 的硅中介層，由于 RDL 中介層本身的材料特性，因此良率問題得以解決，但是傳輸效率較之 CoWoS-S 有所下降，勝在制造成本較低和靈活性好，因此適合大規(guī)模使用。
CoWoS-L 則采用局部硅互連（LSI）和 RDL 有機(jī)中介層，綜合了 CoWoS-S 和 CoWoS-R 的優(yōu)點(diǎn)，因此兼顧了性能與成本，英偉達(dá) Blackwell 芯片即將采用該技術(shù)以代替成本高昂的 CoWoS-S 封裝。
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