IT之家 1 月 20 日消息，華碩本月 12 日表示，金士頓即將推出單條容量即達(dá) 64GB 的 ValueRAM DDR5 6400MT/s CUDIMM 內(nèi)存條，而對(duì)于少數(shù)希望四根插滿(mǎn)實(shí)現(xiàn) 256GB 總?cè)萘康挠⑻貭?Z890、B860 平臺(tái)用戶(hù)，華碩帶來(lái)了支持更高運(yùn)行頻率的 BIOS 更新。
IT之家注：對(duì)于消費(fèi)級(jí)內(nèi)存，一般而言單條最多包含 16 個(gè)內(nèi)存顆粒，因此金士頓的 64GB 內(nèi)存應(yīng)基于 16 顆 32Gb 大容量 DRAM 芯片。
由于信號(hào)、內(nèi)存控制器等方面的原因，在 MSDT 平臺(tái)上 2DPC（每通道 2 根內(nèi)存槽）配置可達(dá)到的內(nèi)存頻率要低于 1DPC 模式；這一現(xiàn)象在 DDR5 時(shí)代由于內(nèi)存速率提升、主板內(nèi)存走線變化（從 T 拓?fù)涞?D 拓?fù)洌┑纫蛩刈兊糜l(fā)明顯。
反映到平臺(tái)標(biāo)稱(chēng)支持頻率方面，就是英特爾酷睿 Ultra 200S 處理器在 1DPC 1R 下至高可達(dá) 6400MT/s，而在最?lèi)毫拥?2DPC 2R 下則僅有 4400MT/s。
華碩此次為其英特爾 Z890、B860 主板推送的 BIOS 更新中包含了該企業(yè)與金士頓密切合作的成果：為 4 條金士頓 64GB 內(nèi)存條專(zhuān)門(mén)打造的 AEMP III 模式。
在該模式下，華碩主板通過(guò)先時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器 CKD 后內(nèi)存頻率的兩段式優(yōu)化，在性能和穩(wěn)定之間實(shí)現(xiàn)更好平衡，可將內(nèi)存運(yùn)行速率從標(biāo)稱(chēng)的 4400MT/s 提高到 5600MT/s，升幅達(dá) 27%。
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