IT之家 2 月 17 日消息，美光執(zhí)行副總裁兼首席財(cái)務(wù)官 Mark Murphy 上周在出席分析機(jī)構(gòu)的 Wolfe Research 的會(huì)議時(shí)表示，美光的 12 層堆疊 HBM 內(nèi)存產(chǎn)品（12Hi HBM3E）即將放量。
美光宣稱(chēng)其 12Hi HBM3E 在容量是競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手產(chǎn)品 1.5 倍的同時(shí)功耗也比競(jìng)品低 20%。
Mark Murphy 表示，無(wú)論目前在 HBM 業(yè)務(wù)上相對(duì)掙扎的三星電子是否能恢復(fù)過(guò)來(lái)，美光的目標(biāo)都是在 HBM 領(lǐng)域取得同整體 DRAM 相當(dāng)?shù)氖袌?chǎng)占比（IT之家注：即 20%）。而 HBM 產(chǎn)能的提升也將改善美光整體的財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)。
對(duì)于 NAND 閃存，這位 CFO 認(rèn)為該行業(yè)的整體狀況仍然疲軟，因此美光選擇減慢制程遷移（如升級(jí)至最新 G9 278 層節(jié)點(diǎn)）以相對(duì)降低供應(yīng)能力，從而推進(jìn)庫(kù)存消耗。整體來(lái)看 2025 年的情況將會(huì)逐步轉(zhuǎn)好。
在財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)上，Mark Murphy 預(yù)估該企業(yè)在 2024 財(cái)年第三財(cái)季（截止于 2025 年 3 月末）的毛利率將較第二財(cái)季有所下降，這主要是因?yàn)榭蛻?hù)端出貨規(guī)模提升但產(chǎn)品價(jià)格較低以及整體 NAND 行情。
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