IT之家 2 月 21 日消息,應(yīng)用材料(Applied Materials)公司于 2 月 19 日發(fā)布博文,宣布推出新型芯片檢測(cè)設(shè)備 SEMVision H20,速度提升三倍,助力提升先進(jìn)制程芯片良率。
技術(shù)背景
IT之家注:電子束成像技術(shù)一直是檢測(cè)光學(xué)技術(shù)無(wú)法識(shí)別的微小缺陷的重要工具。其超高分辨率能夠在數(shù)十億個(gè)納米級(jí)電路圖案中分析最細(xì)微的缺陷。
傳統(tǒng)上,光學(xué)技術(shù)用于掃描晶圓以查找潛在缺陷,然后使用電子束技術(shù)對(duì)這些缺陷進(jìn)行更詳細(xì)的表征。
在新興的“埃米時(shí)代”,最小的芯片特征可能只有幾個(gè)原子厚,區(qū)分真正的缺陷和誤報(bào)變得越來(lái)越困難。
SEMVision H20 創(chuàng)新
SEMVision H20 采用第二代冷場(chǎng)發(fā)射電子顯微鏡技術(shù)(CFE)技術(shù),分析速度是熱場(chǎng)發(fā)射(TFE)設(shè)備的三倍,也是第一代 CFE 技術(shù)的兩倍。
應(yīng)用材料的“冷場(chǎng)發(fā)射”(CFE)技術(shù)是電子束成像領(lǐng)域的一項(xiàng)突破,可實(shí)現(xiàn)亞納米級(jí)分辨率,用于識(shí)別最小的隱藏缺陷。相比于傳統(tǒng)的熱場(chǎng)發(fā)射(TFE)技術(shù),CFE 在室溫下運(yùn)行,產(chǎn)生更窄、電子更多的電子束,從而使納米級(jí)圖像分辨率提高多達(dá) 50%,成像速度提高多達(dá) 10 倍。
更快的成像速度提高了每個(gè)晶圓的覆蓋率,使芯片制造商能夠在三分之一的時(shí)間內(nèi)收集相同數(shù)量的信息。
該設(shè)備使用更窄的電子束,讓其能夠深入芯片底部進(jìn)行檢測(cè),對(duì)于 2 納米以下先進(jìn)邏輯芯片、高密度 DRAM 和 3D NAND 至關(guān)重要。
隨著芯片制程不斷推進(jìn),光學(xué)檢測(cè)技術(shù)逐漸難以滿(mǎn)足需求,電子束檢測(cè)的應(yīng)用范圍正在擴(kuò)大。SEMVision H20 能夠滿(mǎn)足先進(jìn)制程芯片的檢測(cè)需求,例如 2 納米以下邏輯芯片、高密度 DRAM 和 3D NAND。
SEMVision H20 還使用深度學(xué)習(xí) AI 算法,能分析趨勢(shì),找出真正的缺陷,最終提高芯片制造商的良率。應(yīng)用材料專(zhuān)有的深度學(xué)習(xí)網(wǎng)絡(luò)使用來(lái)自芯片制造商工廠的數(shù)據(jù)進(jìn)行持續(xù)訓(xùn)練,并將缺陷分類(lèi)到包括空洞、殘留物、劃痕、顆粒和其他數(shù)十種缺陷類(lèi)型的分布中,從而實(shí)現(xiàn)更準(zhǔn)確、更高效的缺陷表征。
SEMVision H20 可用于所有前端工藝。這款設(shè)備的推出,標(biāo)志著芯片檢測(cè)技術(shù)的一大進(jìn)步,將有助于推動(dòng)先進(jìn)制程芯片的研發(fā)和生產(chǎn)。
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