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晶體管

從蘋果 A7 到 A18 Pro 芯片：晶體管數(shù)量激增 19 倍，晶圓成本飆升 2.6 倍

近年來，蘋果公司的 A 系列智能手機(jī)處理器經(jīng)歷了顯著的技術(shù)演進(jìn)。從 2013 年采用 28 納米工藝的 A7 芯片，到 2024 年采用 3 納米工藝的 A18 Pro 芯片，蘋果在核心數(shù)量、晶體管密度和功能特性上實(shí)現(xiàn)了跨越式發(fā)展。然而，隨著制程技術(shù)的不斷升級(jí)，芯片制造成本也大幅攀升，為蘋果帶來了新的挑戰(zhàn)。

Tags：蘋果，芯片，晶體管

01月05日
中國科學(xué)院、北大團(tuán)隊(duì)發(fā)明新型“熱發(fā)射極”晶體管，成果登上 Nature

中國科學(xué)院金屬研究所沈陽材料科學(xué)國家研究中心與北京大學(xué)的科研團(tuán)隊(duì)合作，采用了一種創(chuàng)新思路，通過可控調(diào)制熱載流子來提高電流密度，發(fā)明了一種由石墨烯和鍺等混合維度材料構(gòu)成的熱發(fā)射極晶體管，并提出了一種全新的“受激發(fā)射”熱載流子生成機(jī)制。

Tags：中國科學(xué)院，北京大學(xué)，晶體管，Nature

2024年08月15日
3D 堆疊晶體管是未來：韓國半導(dǎo)體廠商周星工程研發(fā) ALD 新技術(shù)，降低 EUV 工藝步驟需求

韓媒 The Elec 報(bào)道，韓國半導(dǎo)體公司周星工程（Jusung Engineering）最新研發(fā)出原子層沉積（ALD）技術(shù)，可以在生產(chǎn)先進(jìn)工藝芯片中降低極紫外光刻（EUV）工藝步驟需求。

Tags：晶體管，半導(dǎo)體

2024年07月16日
超越 IEEE 預(yù)測(cè)，韓國研究團(tuán)隊(duì)研發(fā)出亞納米級(jí)尺寸晶體管

韓國基礎(chǔ)科學(xué)研究院 (IBS) 的研究團(tuán)隊(duì)取得突破，成功研制出亞納米級(jí)晶體管，超越了現(xiàn)有行業(yè)發(fā)展預(yù)期。該技術(shù)有望引領(lǐng)下一代低功耗高性能電子設(shè)備的研發(fā)。

Tags：晶體管

2024年07月04日
研究人員開發(fā)出新型 2D 晶體管，可模仿蝗蟲大腦實(shí)現(xiàn)避障

印度理工學(xué)院孟買分校和倫敦國王學(xué)院的研究人員合作開發(fā)了一種超低功耗的二維晶體管，能夠模擬蝗蟲的神經(jīng)元來實(shí)現(xiàn)避障功能，有望降低未來人工智能的能源消耗。

Tags：晶體管

2024年04月23日
可重構(gòu)晶體管登場(chǎng)，可用于構(gòu)建有編程功能的芯片電路

來自奧地利維也納工業(yè)大學(xué)的科研團(tuán)隊(duì)近日開發(fā)出新型晶體管技術(shù)--可重構(gòu)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（RFET），可用于構(gòu)建具有可隨時(shí)編程功能的電路。

Tags：芯片，半導(dǎo)體，晶體管

2024年03月29日
臺(tái)積電董事長(zhǎng)劉德音預(yù)測(cè)：未來 15 年每瓦 GPU 性能提升 1000 倍，GPU 晶體管數(shù)破萬億

過去 25 年，半導(dǎo)體工藝制程不斷逼近極限，才有了 ChatGPT 的誕生。如今世界最強(qiáng)英偉達(dá) GPU 已有超 2080 億個(gè)晶體管。臺(tái)積電大佬預(yù)測(cè)，未來十年，1 萬億晶體管 GPU 將問世。

Tags：半導(dǎo)體，晶體管，臺(tái)積電，劉德音

2024年03月29日
定格 28nm，“摩爾定律已死”添新證據(jù)：晶體管成本 10 年前已停止下降

英偉達(dá)首席執(zhí)行官黃仁勛近年來多次在公開場(chǎng)合表示，“摩爾定律已死”。雖然英特爾和 AMD 高管持不同觀點(diǎn)，但谷歌近日公布的一份報(bào)告，再次佐證了黃仁勛的觀點(diǎn)。

Tags：摩爾定律，晶體管，英特爾

2024年02月03日
臺(tái)積電首提 1nm A10 工藝，計(jì)劃到 2030 年實(shí)現(xiàn) 1 萬億晶體管的單個(gè)芯片封裝

據(jù) Tom's Hardware 報(bào)道，在本月舉行的 IEDM 2023 會(huì)議上，臺(tái)積電制定了提供包含 1 萬億個(gè)晶體管的芯片封裝路線，這一計(jì)劃與英特爾去年透露的規(guī)劃類似。

Tags：晶體管，芯片封裝，臺(tái)積電

2023年12月28日
IBM 展示專為液氮冷卻優(yōu)化的納米片晶體管原型，性能可較室溫翻倍

液氮沸點(diǎn)極低，只有 -196°C，是目前主流電子器件無法承受的超低溫。然而，在如此嚴(yán)寒的環(huán)境下，晶體管的電阻和漏電電流都會(huì)大幅降低，從而提升性能和降低功耗。

Tags：晶體管，IBM

2023年12月25日
室溫下像人腦一樣思考，AI 晶體管問世：可同時(shí)處理和存儲(chǔ)信息

這種 AI 突觸晶體管運(yùn)作方式類似于人類認(rèn)知，能夠同時(shí)處理和存儲(chǔ)信息，標(biāo)志著從傳統(tǒng)的機(jī)器學(xué)習(xí)任務(wù)到執(zhí)行聯(lián)想學(xué)習(xí)的顯著轉(zhuǎn)變。更為重要的一點(diǎn)是，這種 AI 突觸晶體管可以在室溫環(huán)境下有效運(yùn)行，具備運(yùn)行快、低能耗、無電源也能保留信息等優(yōu)點(diǎn)，有著廣闊的應(yīng)用前景。

Tags：晶體管，AI，科學(xué)

2023年12月23日
美國多所高校聯(lián)合研發(fā)新型類腦晶體管，可模擬人類大腦思考、記憶

美國麻省理工學(xué)院、西北大學(xué)和波士頓學(xué)院的研究人員創(chuàng)造了一種特殊的晶體管，它能夠像人類大腦一樣去思考問題、記憶事物——即能夠同時(shí)處理和存儲(chǔ)信息。

Tags：晶體管，人工智能

2023年12月21日
英特爾最新技術(shù)展示：通過將 3D 堆疊 CMOS 晶體管與背面供電和背面觸點(diǎn)相結(jié)合首次在 60nm 柵距下實(shí)現(xiàn) CFET

在今年的 IEEE 國際電子器件會(huì)議（IEDM 2023）上，英特爾展示了多項(xiàng)技術(shù)突破，并強(qiáng)調(diào)了摩爾定律的延續(xù)和演變。

Tags：英特爾，半導(dǎo)體，摩爾定律，晶體管，cmos

2023年12月10日
不用光刻機(jī)也能生產(chǎn)高端芯片，華裔科學(xué)家晶體管研究實(shí)現(xiàn)新突破

麻省理工學(xué)院華裔科學(xué)家朱家迪領(lǐng)軍的原子級(jí)晶體管研究取得突破，該項(xiàng)目采用氣象沉淀逐層堆疊工藝生產(chǎn)，不再需要使用光刻機(jī)，即可生產(chǎn)出一納米甚至以下制程的芯片。這將使計(jì)算機(jī)的尺寸縮小到只有目前的千分之一大小，且功耗也只有目前的千分之一。

Tags：芯片，麻省理工學(xué)院，晶體管，技術(shù)

2023年05月26日
英特爾展示新堆疊式 CFET 晶體管架構(gòu)，采用下一代 GAA 技術(shù)設(shè)計(jì)

據(jù)ITF World 2023會(huì)議上的報(bào)告，英特爾技術(shù)開發(fā)總經(jīng)理Ann Kelleher介紹了英特爾在關(guān)鍵領(lǐng)域的最新進(jìn)展，并展示新堆疊式CFET晶體管架構(gòu)，采用下一代GAA技術(shù)設(shè)計(jì)。

Tags：英特爾，晶體管，架構(gòu)，RibbonFET

2023年05月23日
科學(xué)家創(chuàng)造出世界首個(gè)木質(zhì)晶體管：運(yùn)行頻率約為 1Hz

近日，瑞典皇家理工學(xué)院和林雪平大學(xué)的研究團(tuán)隊(duì)合作，首次成功地使用導(dǎo)電木頭制造出了晶體管。這種晶體管不僅可以利用電流來控制電流，而且還具有可降解、可持續(xù)、低成本等優(yōu)點(diǎn)

Tags：晶體管

2023年05月02日
臺(tái)積電：2nm 制程 2025 年量產(chǎn)，N3P 2024 年下半年量產(chǎn)

美國當(dāng)?shù)貢r(shí)間 4 月 26 日，臺(tái)積電在美國加州圣塔克拉拉市舉辦北美技術(shù)論壇，公布了其 3nm 工藝的最新進(jìn)展和路線圖。其中，最引人關(guān)注的是 N3X 工藝，將在 2025 年投入量產(chǎn)，為高性能計(jì)算（HPC）領(lǐng)域提供最強(qiáng)的芯片制造能力

Tags：臺(tái)積電，晶體管，3nm

2023年04月27日
我國科學(xué)家實(shí)現(xiàn)極化激元“晶體管”，顯著提升納米尺度光操控能力

我國科學(xué)家日前成功創(chuàng)制了極化激元“晶體管”，顯著提升了納米尺度的光操控能力，有望進(jìn)一步提升光電融合系統(tǒng)的性能

Tags：晶體管

2023年02月12日
晶體管，到底是誰發(fā)明的

在上篇文章中，我給大家提到，電子管雖然能夠?qū)崿F(xiàn)檢波和放大，但是存在很多缺點(diǎn)，例如體積大、故障率高、容易損壞（玻璃管子）、發(fā)熱大、能耗高等等。正因?yàn)橛羞@些缺點(diǎn)，專家們一直在思考，是不是有性能更好、缺點(diǎn)更少的元器件，可以取代電子管，支撐電子產(chǎn)業(yè)的長(zhǎng)遠(yuǎn)發(fā)展。想著想著，他們將目光放到了礦石檢波器的身上。

Tags：晶體管，半導(dǎo)體

2023年02月02日
羅姆開發(fā)出功耗降低 20% 的小型晶體管

羅姆 (ROHM) 株式會(huì)社是全球知名的半導(dǎo)體廠商之一，也是第一家進(jìn)入美國硅谷的日本企業(yè)。據(jù)日本經(jīng)濟(jì)新聞，羅姆現(xiàn)開發(fā)出了一種電力損耗比此前減少 2 成的小型晶體管“MOSFET”。

Tags：晶體管，羅姆

2022年12月27日

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