據(jù)外媒 Tomshardware 報(bào)道,中國(guó) 3D NAND 閃存制造商長(zhǎng)江存儲(chǔ),日前再次將美光告上法院,在美國(guó)加州北區(qū)指控美光侵犯了長(zhǎng)江存儲(chǔ)的 11 項(xiàng)專利,涉及 3D NAND Flash 和 DRAM 產(chǎn)品。
近日,中國(guó)最大閃存芯片制造商長(zhǎng)江存儲(chǔ)向美國(guó)存儲(chǔ)芯片巨頭美光及其子公司提起專利侵權(quán)訴訟,要求法院禁止美光繼續(xù)使用長(zhǎng)江存儲(chǔ)的多項(xiàng) 3D NAND 技術(shù)專利,并賠償損失和訴訟費(fèi)用。長(zhǎng)江存儲(chǔ)稱,美光的多款固態(tài)硬盤(pán)產(chǎn)品涉嫌侵犯了長(zhǎng)江存儲(chǔ)的 8 項(xiàng)專利,這些專利涉及到 3D NAND 存儲(chǔ)器的形成方法、控制方法、直通陣列接觸 (TAC)、讀取方法和多層堆疊方法等方面。