IT之家 3 月 28 日消息，據(jù)臺媒 DIGITIMES 報道，長江存儲在中國閃存市場峰會 CFMS 2024 上表示采用第三代 Xtacking 技術(shù)的 X3-6070 QLC 閃存已實現(xiàn) 4000 次 P / E 的擦寫壽命。
IT之家注：不同于質(zhì)保壽命，消費級原廠 TLC 固態(tài)硬盤在測試中普遍至少擁有 3000 次 P / E 級別的擦寫壽命。
長江存儲 CTO 霍宗亮表示，目前 NAND 閃存行業(yè)已度過了最艱難的 2023 年，今年將進(jìn)入上升期，預(yù)計 2023~2027 年的閃存需求總量復(fù)合增長率可達(dá) 21%，單臺設(shè)備平均容量的復(fù)合增長率為 20%。
在這個上升周期中，存儲市場面臨的三大新挑戰(zhàn)是每 Gb 成本快速降低、讀寫性能加速提升和滿足多樣化需求，客戶期待的是以同樣的價格獲得更高密度的存儲。
而在密度提升方面，3D NAND 的堆疊層數(shù)提升成為業(yè)界新問題，因此有必要推動 QLC NAND 的應(yīng)用。根據(jù)市場預(yù)測，到 2027 年 QLC 占比有望超過 40%，大幅高于去年的 13%。
長江存儲表示，其采用第三代 Xtacking 技術(shù)的 X3-6070 QLC 閃存相較上代產(chǎn)品 IO 速度提升 50%、存儲密度提高 70%、擦寫壽命達(dá) 4000 次 P / E。
這意味著長江存儲的 QLC 技術(shù)已開發(fā)成熟，可向企業(yè)級存儲、移動端等領(lǐng)域擴(kuò)展。憶恒創(chuàng)源就在此次峰會上展示了基于長存 QLC 閃存的 PBlaze7 7340 系列數(shù)據(jù)中心級固態(tài)硬盤。
在技術(shù)細(xì)節(jié)方面，Xtacking 結(jié)構(gòu)將 CMOS 電路同閃存陣列分離的設(shè)計對操作算法帶來了更大靈活性，從而提升了 QLC 的可靠性。此外第三代 Xtacking 技術(shù)可實現(xiàn)更靈活的電壓調(diào)制，讀取窗口裕度得到了提升。
此外，長江存儲還在現(xiàn)場展示了 PC41Q 消費級 QLC 固態(tài)硬盤。PC41Q 順序讀寫帶寬達(dá) 5500MB/s，長江存儲宣稱該款固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)保持能力和可靠性媲美 TLC 固態(tài)硬盤，實現(xiàn)了 30℃ 下 1 年的數(shù)據(jù)保持和 200 萬小時的 MTBF 時間。
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