sk 海力士

郭魯正表示，HBM4 12H 將于今年晚些時(shí)候開始生產(chǎn)。他還表示，中國 Deepseek 的流行將對(duì) AI 內(nèi)存芯片的需求產(chǎn)生積極影響，“我認(rèn)為 HBM 的需求不會(huì)減少”。

據(jù)外媒TrendForce報(bào)道，三星和SK海力士計(jì)劃下月對(duì)NAND閃存實(shí)施漲價(jià)，此前閃迪已宣布4月1日起提價(jià)。作為市場(chǎng)占有率領(lǐng)先的兩大廠商，此次漲價(jià)預(yù)計(jì)將迅速影響市場(chǎng)。#NAND閃存漲價(jià)##三星SK海力士#

如今全球 NAND 持續(xù)供過于求，相應(yīng)市場(chǎng)面臨嚴(yán)峻挑戰(zhàn)，除了企業(yè)級(jí) SSD 有動(dòng)能支撐外，其他終端產(chǎn)品銷量均普遍不如預(yù)期，供貨商庫存持續(xù)上升，訂單需求下降。據(jù)外媒 TechPowerup 報(bào)道，如今業(yè)界三星、SK 海力士、鎧俠、美光均已開始研究減產(chǎn)計(jì)劃，從而緩解供需失衡并穩(wěn)定價(jià)格，預(yù)計(jì)相關(guān)廠商計(jì)劃會(huì)按照市場(chǎng)實(shí)際情況分階段進(jìn)行，而從長遠(yuǎn)來看此舉可能會(huì)加速行業(yè)整合。

SK 海力士剛剛宣布開始量產(chǎn)全球最高的 321 層 1Tb（太比特）TLC（Triple Level Cell）4D NAND 閃存。

兩家企業(yè)的市值份額之差為 8.9 個(gè)百分點(diǎn)，系 2011 年 7 月 18 日（8.84 個(gè)百分點(diǎn)）以來近 13 年零 3 個(gè)月的最小水平。

隨著對(duì) AI 芯片的需求爆炸性增長，能夠快速處理海量數(shù)據(jù)的 eSSD 的需求也在飆升，成為與 HBM 芯片并列的 AI 芯片核心部分。

目前 8 層和 12 層 HBM3E 支持 36GB 容量，每秒可處理超過 1.18TB 數(shù)據(jù)，而 HBM4 將提供 12 層和 16 層產(chǎn)品，最大容量為 48GB，數(shù)據(jù)處理速度可超過每秒 1.65TB。

HBM 負(fù)責(zé)人 Kim Gwi-wook 近日在官方公告中聲稱當(dāng)前業(yè)界 HBM 技術(shù)已經(jīng)到了新的水平，行業(yè)需求促使 SK 海力士將加速開發(fā)過程，在 2026 年之前推出他們的 HBM4E 內(nèi)存，相關(guān)內(nèi)存帶寬將是 HBM4 的 1.4 倍。

三星電子與 SK 海力士在去年對(duì) DRAM 內(nèi)存進(jìn)行了大幅度減產(chǎn)。近來內(nèi)存價(jià)格和需求都有提升。

據(jù)外媒 ChosunBiz 報(bào)道，SK 海力士日前在美國組建了一家名為 SK HNA（SK hynix NAND Development America）的子公司，并通過“挖英特爾墻角”招募了多位“具有數(shù)十年經(jīng)驗(yàn)”的專家，以期提高自家 NAND 競(jìng)爭力。

鎧俠與西部數(shù)據(jù)自 2021 年以來就一直在進(jìn)行合并談判，IT之家今日早前曾報(bào)道，這一合并案收到了 SK 海力士的反對(duì)。據(jù)外媒“日本經(jīng)濟(jì)新聞”消息，鎧俠與西部數(shù)據(jù)的合并談判已經(jīng)中止，西部數(shù)據(jù)股價(jià)因該消息下跌 12%。

NAND 閃存芯片制造商鎧俠（Kioxia）與西部數(shù)據(jù)（WD）的合并計(jì)劃目前迎來新變數(shù)，IT 之家此前報(bào)道，韓國內(nèi)存巨頭 SK 海力士最初聲稱“反對(duì)此次合并”，后來否認(rèn)“反對(duì)”，但目前整個(gè)消息又迎來反轉(zhuǎn)。

SK 海力士存儲(chǔ)官方店鋪國內(nèi)京東首發(fā)上線，現(xiàn)已上架 P31 和 P41 兩款SSD，2TB 容量雙 11 到手價(jià)分別為 719 元和 849 元。

三星官方消息，面向高性能計(jì)算（HPC）的 HBM 內(nèi)存迎來新進(jìn)展，9.8Gbps 的 HBM3E 產(chǎn)品已開始向客戶提供樣品，而 HBM4 內(nèi)存預(yù)計(jì) 2025 年推出。

近來 NAND 閃存客戶需求低迷，據(jù)外媒 BusinessKorea 報(bào)道，在市場(chǎng)需求未明顯好轉(zhuǎn)的情況下，三星電子和 SK 海力士正面臨不小的壓力，庫存依舊處在高位，下半年考慮將繼續(xù)減產(chǎn)。外媒表示，同 DRAM 相比，NAND 閃存需求復(fù)蘇緩慢，雖然隨著 AI 需求的增加，DRAM 的利潤狀況有所改善，但需求并不高，當(dāng)下依然處于“供過于求”狀態(tài)。

韓國半導(dǎo)體大廠 SK 海力士現(xiàn)發(fā)布截至 2023 年 6 月 30 日的 2023 財(cái)年第二季度財(cái)務(wù)報(bào)告。

據(jù) BusinessKorea 報(bào)道，SK 海力士在近日舉辦的投資者簡報(bào)會(huì)上表示，該公司的目標(biāo)是在明年將 AI 服務(wù)器的重要組件 HBM 和 DDR5 芯片的銷量翻一番。

據(jù)《韓國先驅(qū)報(bào)》報(bào)道，SK 海力士此前被曝出將為蘋果公司的新款混合現(xiàn)實(shí)（MR）頭顯 Vision Pro 提供定制的 DRAM，并將是該 DRAM 的唯一供應(yīng)商。今日有業(yè)內(nèi)人士透露，SK 海力士定制的 DRAM 可幫助該頭顯將數(shù)據(jù)處理速度提高一倍。

SK 海力士幾乎已經(jīng)壟斷了快速增長的 DDR5 DRAM 市場(chǎng)。業(yè)內(nèi)認(rèn)為，隨著三星電子和美光 DDR5 DRAM 的推遲，SK 海力士在這一領(lǐng)域的霸主地位將一直持續(xù)到明年。

據(jù) businesskorea 以及 etnews 報(bào)道，SK 海力士將擴(kuò)展其 HBM3 后道工藝生產(chǎn)線，并已收到英偉達(dá)要求其送測(cè) HBM3E 樣品的請(qǐng)求