IT之家 9 月 15 日消息 富士膠片于 9 月 13 日在美國(guó)發(fā)布了 LTO Ultrium 9 數(shù)字磁帶。該產(chǎn)品采用第九代 LTO Ultrium 標(biāo)準(zhǔn)，在壓縮的情況下能夠儲(chǔ)存高達(dá) 45TB 的數(shù)據(jù)，比上一代產(chǎn)品增加了 50%。不進(jìn)行壓縮的情況下，單盤(pán)能夠存儲(chǔ) 18TB 數(shù)據(jù)
這款磁帶專用于大型數(shù)據(jù)中心，使用數(shù)字磁帶機(jī)進(jìn)行讀寫(xiě)。這種存儲(chǔ)方式特別適合冷數(shù)據(jù)，成本低壽命長(zhǎng)，可以斷電離線存儲(chǔ)。官方表示，使用磁帶存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，相比 HDD 機(jī)械硬盤(pán)二氧化碳排放量減少了 95%。
富士稱，近年來(lái)，隨著 5G、高清視頻、物聯(lián)網(wǎng)、人工視頻等領(lǐng)域的發(fā)展，全球每年產(chǎn)生的數(shù)據(jù)呈指數(shù)增長(zhǎng)。據(jù)統(tǒng)計(jì)有多達(dá) 80% 的數(shù)據(jù)屬于冷數(shù)據(jù)或較少訪問(wèn)的數(shù)據(jù)。因此，如果數(shù)據(jù)中心使用磁帶的方式進(jìn)行存儲(chǔ)，會(huì)大大降低成本。
IT之家了解到，富士膠片這款 LTO-9 磁帶，使用了鋇鐵氧體磁性顆粒來(lái)實(shí)現(xiàn)更高的存儲(chǔ)容量。這種顆粒使用富士膠片先進(jìn)的“NANOCUBIC”（納米顆粒）技術(shù)制造，能夠均勻覆蓋在磁帶表面，形成光滑的磁性層。速度方面，在不壓縮時(shí)，讀寫(xiě)速度可達(dá) 1000MB/s，壓縮時(shí)傳輸速度也能達(dá)到 400MB/s。這一性能比 LTO-8 提高了 25%。
此外，官方還稱磁帶進(jìn)行離線存儲(chǔ)，從物理方面隔絕了數(shù)據(jù)被盜以及受到網(wǎng)絡(luò)攻擊的風(fēng)險(xiǎn)，適用于長(zhǎng)期備份用途。
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