為解決 SiC MOSFET 柵氧層界面質(zhì)量差導(dǎo)致溝道遷移率低，使得溝道開(kāi)態(tài)電阻過(guò)高，能源轉(zhuǎn)換效率嚴(yán)重受限的技術(shù)瓶頸問(wèn)題。西安交通大學(xué)微電子學(xué)院耿莉教授、劉衛(wèi)華教授團(tuán)隊(duì)與西安電子科技大學(xué)郝躍院士共同合作，提出一種使用低溫超臨界二氧化碳 (SCCO2) 或超臨界一氧化二氮 (SCN2O) 流體的低溫退火工藝，以提高 4H-SiC MOSFET 中 4H-SiC / SiO2 界面的質(zhì)量。
該研究成果不僅實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的 SiO2 / SiC 界面、高的溝道遷移率和介電可靠性；同時(shí)，提出的高效低溫退火工藝與標(biāo)準(zhǔn) SiC MOSFET 制造工藝兼容，為制備高性能 SiC MOSFET 器件提供了新的有效方法，方便用于商用器件的制備。
近日，上述研究成果論文在第 67 屆電氣電子工程師學(xué)會(huì)（IEEE）國(guó)際電子器件會(huì)議（ IEDM）上發(fā)表，論文題目為：“超臨界流體低溫退火工藝實(shí)現(xiàn)高性能”。王夢(mèng)華學(xué)生是第一作者，楊明超老師是第二作者，劉衛(wèi)華教授、耿莉教授和郝躍院士是論文的通訊作者，西安交通大學(xué)為第一單位和通訊單位。該工作獲得了國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃、國(guó)家自然科學(xué)基金、西安交通大學(xué)基本科研業(yè)務(wù)費(fèi)的支持。
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