IT之家 12 月 27 日消息，由北京元芯碳基集成電路研究院主持，北京元芯碳基集成電路研究院、北京華碳元芯電子科技有限責任公司、北京大學、北京昂瑞微電子技術股份有限公司共同承擔北京市重點研發(fā)項目中的“90 納米碳基集成電路關鍵工藝研究”課題驗收會在亦莊金田工業(yè)園區(qū)舉行。驗收會上，驗收組專家認真聽取了課題負責人張志勇教授的結題匯報，查看了相關資料和樣品實物，參觀了正在建設中 90 納米工藝先導線。經過嚴格認真評審，驗收專家組認為課題承擔單位完成了任務書規(guī)定的研發(fā)任務，達到了考核指標要求，一致建議該課題通過驗收。
集成電路芯片是現(xiàn)代信息技術的基石。目前主流的硅基半導體技術由于受加工技術、器件物理極限等方面的限制，面臨日益嚴峻的發(fā)展挑戰(zhàn)，急需尋找新的信息器件推動未來電子學的發(fā)展。碳基集成電路具有加工溫度低、工作速度快、功耗低、更易實現(xiàn)三維異構集成等優(yōu)勢，最有可能成為后摩爾時代集成電路的顛覆性技術之一。
IT之家獲悉，理論仿真結果表明，采用三維集成的碳基集成電路較傳統(tǒng)集成電路具有 1000 倍的性能功耗綜合優(yōu)勢。根據(jù)已有研究成果估算，90 納米碳基集成電路技術可達到硅基主流 28 納米技術節(jié)點的綜合性能。因此，90 納米集成電路技術是碳基集成電路技術走向應用的關鍵節(jié)點。
值得關注的是，本課題在開展過程中，克服了場地和設備上的種種困難，在 90 納米碳基技術的材料制備、關鍵工藝及器件性能、應用探索等方面均取得了可喜成果：
在材料方面，研發(fā)了高半導體純度（99.9999% 以上）、密度可調控（50 根 / um-200 根 / um）的高質量 8 英寸碳管陣列薄膜材料，國際上首次將碳管材料推進到業(yè)界公認的集成電路可用的有效區(qū)間；
在工藝和性能方面，實現(xiàn)了滿足 90 納米技術節(jié)點的線條寬度和間距以及對于所用金屬、介質的高效刻蝕工藝，能夠開展 90 納米技術節(jié)點的碳基晶體管流片，制備出了相同技術節(jié)點下碳基中全球性能最好、優(yōu)于硅基商業(yè)器件的晶體管；
在應用探索方面，發(fā)揮碳基材料性能和器件結構簡化優(yōu)勢，開發(fā)了性能最好的碳基高頻射頻器件、高靈敏的氣體和生物傳感芯片、輻照免疫的器件和電路，展示了碳基集成電路的應用前景。
這些都為后續(xù) 90 納米碳基集成電路完整工藝以及先導線建設打下了堅實的基礎，將進一步加快碳基集成電路技術的發(fā)展和相關應用的產業(yè)化步伐。
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