集微網(wǎng)消息，5 月 9 日，Tower 半導(dǎo)體宣布擴(kuò)展其電源管理平臺(tái)，發(fā)布其最先進(jìn)的第二代 65nm BCD，將操作范圍擴(kuò)大到 24V，并將 RDSON 降低 20%。該公司還在其 180nm BCD 平臺(tái)上添加了深溝槽隔離，可將電壓高達(dá) 125V 的芯片尺寸降低 40%。新版本滿足了對(duì)更高電壓和更高功率 IC 不斷增長的需求，進(jìn)一步增強(qiáng)了 Tower 在功率器件方面的領(lǐng)先市場地位。
Tower 的 65 納米 BCD 平臺(tái)以其在功率性能、成本和集成競爭力方面的領(lǐng)先優(yōu)勢而被稱為一流的 sub-90 納米 BCD 技術(shù)。第二代 65nm BCD 受益于功率性能和芯片尺寸減少多達(dá) 20%，這是由于用于高達(dá) 16V 的器件的 LDMOS RDSON 減少以及電壓擴(kuò)展到 24V 運(yùn)行。這些進(jìn)步滿足了計(jì)算和消費(fèi)市場對(duì)單片大功率轉(zhuǎn)換器的需求，包括用于 CPU 和 GPU 的高功率電壓調(diào)節(jié)器以及充電器、大功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和功率轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用。
該公司的 180nm BCD 在電壓覆蓋、隔離方案、功率性能、芯片尺寸和掩模數(shù)量方面是業(yè)界最寬、一流的平臺(tái)。180nm BCD 深溝槽隔離方案在單個(gè) IC 內(nèi)提供了更好的抗噪性，在升高的電壓下具有靈活性，可以在多個(gè)隔離方案之間進(jìn)行選擇，并將芯片尺寸減少多達(dá) 40%。
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