IT之家 6 月 24 日消息，中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所 6 月 23 日發(fā)布訃告，中國(guó)工程院院士、中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員、我國(guó)著名半導(dǎo)體材料學(xué)家梁駿吾先生因病醫(yī)治無(wú)效，不幸于 2022 年 6 月 23 日 17 時(shí)在北京逝世，享年 89 歲。
IT之家了解到，中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所在《梁駿吾院士生平》中寫道：
中國(guó)工程院院士、中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員、我國(guó)著名半導(dǎo)體材料學(xué)家、我國(guó)早期半導(dǎo)體硅材料的奠基人梁駿吾先生因病醫(yī)治無(wú)效，不幸于 2022 年 6 月 23 日 17 時(shí)在北京逝世，享年 89 歲。半導(dǎo)體研究所和半導(dǎo)體材料科學(xué)領(lǐng)域?yàn)槭ミ@樣一位學(xué)科泰斗，扼腕痛惜；梁氏家族為失去這樣一位摯愛親人，無(wú)限悲痛；學(xué)生弟子，為失去這樣一位良師，深切哀悼。
梁駿吾院士，1933 年 9 月 18 日生于湖北武漢。1955 年畢業(yè)于武漢大學(xué)物理專業(yè)，1956 年至 1960 年就讀于前蘇聯(lián)科學(xué)院莫斯科巴依可夫冶金研究所并獲得副博士學(xué)位，同年到中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所工作至今。60 多年來(lái)，他為我國(guó)半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的學(xué)科建設(shè)、技術(shù)創(chuàng)新、產(chǎn)業(yè)振興以及人才培養(yǎng)作出了重要貢獻(xiàn)。梁駿吾院士先后榮獲國(guó)家科委科技成果二等獎(jiǎng)和新產(chǎn)品二等獎(jiǎng)各 1 次，國(guó)家科技進(jìn)步三等獎(jiǎng) 1 次、中科院重大成果和科技進(jìn)步一等獎(jiǎng) 3 次、二等獎(jiǎng) 4 次，上海市科技進(jìn)步二等獎(jiǎng) 1 次等各種科技獎(jiǎng)共 20 余次。1997 年當(dāng)選中國(guó)工程院院士。
梁駿吾院士在半導(dǎo)體材料科學(xué)領(lǐng)域辛勤耕耘、造詣?lì)H深，并取得了一系列重要科研成果。上世紀(jì) 60 年代解決了高純區(qū)熔硅的關(guān)鍵技術(shù)。1964 年制備出室溫激光器用 GaAs 液相外延材料。1979 年研制成功為大規(guī)模集成電路用的無(wú)位錯(cuò)、無(wú)旋渦、低微缺陷、低碳、可控氧量的優(yōu)質(zhì)硅區(qū)熔單晶。80 年代首創(chuàng)了摻氮中子嬗變硅單晶，解決了硅片的完整性和均勻性的問(wèn)題。90 年代初研究 MOCVD 生長(zhǎng)超晶格量子阱材料，在晶體完整性、電學(xué)性能和超晶格結(jié)構(gòu)控制方面，將中國(guó)超晶格量子阱材料推進(jìn)到實(shí)用水平。主持“七五”、“八五”重點(diǎn)硅外延攻關(guān)，完成了微機(jī)控制、光加熱、低壓硅外延材料生長(zhǎng)和設(shè)備的研究。他還在太陽(yáng)電池用多晶硅的研究和產(chǎn)業(yè)化等方面發(fā)揮著積極作用。
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