集微網(wǎng)消息，6 月 24 日，據(jù)臺媒《經(jīng)濟日報》報道，臺達電進軍半導體領(lǐng)域，昨（23）日宣布斥資 3.2 億元新臺幣成立碇基半導體籌備處，鎖定第三代半導體，并從設(shè)計端切入。未來，不排除臺達電再引進合作伙伴加入，以壯大實力。
報道稱，業(yè)內(nèi)人士解讀，臺達電以全球電源供應(yīng)器龍頭之姿加入第三代半導體行列，雖然初期僅先投資 3.2 億元新臺幣成立“籌備處”，但意義重大，凸顯第三代半導體后市受到國際大廠高度期待。
臺達電表示，將先成立碇基半導體，進入前端電源技術(shù)與第三代半導體的研究開發(fā)與相關(guān)產(chǎn)品生產(chǎn)與銷售。未來，臺達電希望藉由掌握上游端設(shè)計，提供關(guān)鍵半導體零部件，進而掌握第三代半導體應(yīng)用趨勢，且不排除引進半導體相關(guān)戰(zhàn)略合作伙伴。
臺達電指出，碇基半導體暫定資本額 4 億元新臺幣，臺達電持股八成，其余股權(quán)由旗下子公司臺達資本、創(chuàng)始員工認購各半。碇基半導體主要掌舵的關(guān)鍵人物為臺達資本董事長劉亮甫，以及原臺達電先進元件與模組事業(yè)部主管邢泰剛。
報道指出，據(jù)了解，碇基半導體初期鎖定 600 伏電源供應(yīng)器等產(chǎn)品。外界看好，由于 5G 通訊、電動車、高功率電源等新興應(yīng)用對功率元件效能需求提高，以及氮化鎵（GaN）與碳化硅（SiC）在耐高溫、高電流環(huán)境下仍有極佳效能，加上全球開始重視碳排放問題，高能效、低能耗的氮化鎵及碳化硅成為第三代半導體的新世代商機。
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