IT之家 10 月 23 日消息，據(jù) etnews 報道，三星電子和 SK 海力士向光刻機巨頭 ASML 訂購了下一代半導(dǎo)體設(shè)備 High-NA 極紫外光（EUV）曝光設(shè)備。繼臺積電和英特爾之后，韓國半導(dǎo)體制造商也在準(zhǔn)備引進(jìn)能夠?qū)崿F(xiàn) 2nm 工藝的設(shè)備。對最先進(jìn)工藝的競爭預(yù)計將加劇。
在 10 月 19 日的財報公告中，ASML 表示：“在 EUV High-NA 業(yè)務(wù)中，ASML 收到了 TWINSCAN EXE:5200 的額外訂單；目前所有的 EUV 客戶都已提交 High-NA 訂單?！?High-NA EUV 設(shè)備是將集光能力的鏡頭數(shù)值孔徑（NA）從 0.33 提高到 0.55 的設(shè)備。比現(xiàn)有的 EUV 設(shè)備處理更精細(xì)的半導(dǎo)體電路。業(yè)界大多數(shù)人認(rèn)為，High-NA 設(shè)備對 2nm 工藝至關(guān)重要。
NA (NumericalAperture) 被稱作數(shù)值孔徑，是光學(xué)鏡頭的一個重要指標(biāo)，一般光刻機設(shè)備都會明確標(biāo)注該指標(biāo)的數(shù)值。在光源波長不變的情況下，NA 的大小直接決定和光刻機的實際分辨率，也等于決定了光刻機能夠達(dá)到的最高的工藝節(jié)點。
今年 9 月，ASML 表示正在準(zhǔn)備向客戶交付首臺 High-NA EUV 光刻機，大概會在明年某個時間點完成。
英特爾和臺積電已經(jīng)正式宣布引進(jìn) High-NA 的 EUV 設(shè)備。英特爾在去年宣布整合半導(dǎo)體公司 (IDM 2.0) 的策略，目標(biāo)是重新進(jìn)入代工市場時，宣布他們是第一個下定了 High-NA EUV 設(shè)備訂單。這是為了通過搶先引入下一代設(shè)備來追趕臺積電和三星電子的系統(tǒng)半導(dǎo)體生產(chǎn)能力。臺積電也宣布了訂購 High-NA EUV 設(shè)備的合同，但三星電子和 SK 海力士沒有提到任何關(guān)于合同的內(nèi)容。隨著 ASML 的這一宣布，韓國半導(dǎo)體制造商引進(jìn) High-NA 設(shè)備的做法已經(jīng)正式確定。然而，三星電子和 SK 海力士表示，關(guān)于 High-NA EUV 設(shè)備的引進(jìn)，“這是不能正式披露的事情”。ASML 現(xiàn)有的 EUV 設(shè)備客戶包括三星電子、SK 海力士、英特爾、臺積電、美光等。
由于全球所有的半導(dǎo)體制造公司都向 ASML High-NA EUV 設(shè)備下了訂單，預(yù)計從 2025 年開始大規(guī)模生產(chǎn)時，激烈的競爭將展開。High-NA EUV 設(shè)備比目前使用的 EUV 設(shè)備更昂貴，但它可以一次性實現(xiàn)超精細(xì)工藝（單次圖案化），這可以極大地提高生產(chǎn)力。就三星電子而言，有必要在 3nm 量產(chǎn)后搶先確保 High-NA EUV 設(shè)備用于 2nm 量產(chǎn)?，F(xiàn)有的 EUV 設(shè)備估計需要 2000 億韓元（約 10.08 億元人民幣）至 3000 億韓元（約 15.12 億元人民幣），而 High-NA EUV 設(shè)備估計需要花費 5000 億韓元（約 25.2 億元人民幣）。
IT之家獲悉，ASML 此前宣布，第三季度的凈銷售額為 58 億歐元，毛利率為 51.8%，凈利潤為 17 億歐元。第四季度的凈銷售額預(yù)計將在 61 億歐元至 66 億歐元之間。
ASML 總裁兼首席執(zhí)行官 Peter Wennink 表示：“第三季度的凈銷售額為 58 億歐元，毛利率為 51.8%，高于預(yù)期。受包括通貨膨脹、消費者信心和經(jīng)濟衰退的風(fēng)險等全球宏觀經(jīng)濟因素的影響，市場存在不確定性。雖然每個細(xì)分市場的需求動態(tài)存在分化，但我們整體的客戶需求依然強勁。這推動第三季度新增訂單金額達(dá)到約 89 億歐元，創(chuàng)下歷史新高，這其中 38 億歐元來自 EUV 系統(tǒng)訂單，包括 High-NA 系統(tǒng)訂單?！?/p>
《光刻機巨頭 ASML 第三季度銷售額 58 億歐元：凈利潤 17 億歐元，凈預(yù)訂額 89 億歐元創(chuàng)下紀(jì)錄》
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