IT之家 12 月 12 日消息，國星光電研究院基于寬禁帶半導體碳化硅技術，全新推出“NS62m SiC MOSFET 功率模塊新品”，可應用于傳統(tǒng)工控、儲能逆變、UPS、充電樁、軌道交通和其他功率變換領域。
面向儲能逆變器市場，國星光電 NS62m 功率模塊新品依托 SiC MOSFET 芯片的性能，提高了功率模塊的電流密度以及開關頻率，降低了開關損耗和導通損耗，減少了無源器件的使用和冷卻裝置的尺寸，最終達到降低系統(tǒng)成本、提升系統(tǒng)效率的目的。
國星光電 NS62m 功率模塊采用標準型封裝，半橋拓撲設計，內(nèi)置 NTC 熱敏電阻，可實現(xiàn)溫度監(jiān)控；采用 62mm 尺寸標準基板和接口，可兼容行業(yè)內(nèi)各大主流產(chǎn)品，實現(xiàn)快速替換使用；具有 150℃的連續(xù)工作溫度 (Tvjop) 和優(yōu)秀的溫度循環(huán)能力，器件可靠性表現(xiàn)卓越。
NS62m 功率模塊以半橋電路結(jié)構應用于逆變器中。在實際應用中，一般會以 2 個或 3 個 NS62m 功率模塊并聯(lián)的形式構成單相全橋拓撲或三相橋拓撲，將直流電變成頻率、幅值可調(diào)的交流電，實現(xiàn)逆變功能?；?NS62m 功率模塊內(nèi) SiC MOSFET 的體二極管具有出色的開關特性和反向恢復性能，因此在無需額外搭配二極管器件，更可滿足多數(shù)場景下的續(xù)流要求。
如圖中橙色框圖部分所示，每個框圖代表一個 NS62m 功率模塊，此圖為 2 個 NS62m 功率模塊并聯(lián)的形式構成單相全橋拓撲。
NS62m 功率模塊在工作時可達到更高的開關頻率、更低的開關損耗，同時，可幫助變換器系統(tǒng)效率的提升和散熱結(jié)構成本的降低。
IT之家獲悉，根據(jù)實驗數(shù)據(jù)可得，與市場同等電流規(guī)格的產(chǎn)品對比，NS62m 功率模塊動態(tài)特性開通延遲時間減少 79 納秒；上升時間減少 42 納秒；關斷延遲時間減少 468 納秒。開啟損耗降低 82%，關斷損耗降低 92%，整體開關損耗表現(xiàn)優(yōu)秀。
針對傳統(tǒng)工控、儲能逆變、充電樁等應用領域的需求，國星光電 NS62m SiC MOSFET 模塊系列型號豐富，可供選擇。依托國星光電先進的第三代半導體器件生產(chǎn)線，公司可響應不同封裝及規(guī)格的 SiC 功率模塊定制開發(fā)需求，為客戶提供高質(zhì)量的定制化產(chǎn)品服務。
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