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格芯宣布收購(gòu)瑞薩 CBRAM 低功耗存儲(chǔ)器技術(shù)

2023/2/10 22:06:45 來(lái)源:IT之家 作者:瀟公子 責(zé)編:瀟公子
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IT之家 2 月 10 日消息,GlobalFoundries(GF,格芯)近日宣布,已經(jīng)收購(gòu)瑞薩電子公司(Renesas)的專利和經(jīng)過(guò)生產(chǎn)驗(yàn)證的導(dǎo)電橋接隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (conductive- bridging RAM,CBRAM) 技術(shù),這是一種低功耗的存儲(chǔ)器解決方案,旨在實(shí)現(xiàn)家庭和工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)以及智能移動(dòng)設(shè)備的一系列應(yīng)用。

這項(xiàng)交易進(jìn)一步加強(qiáng) GF 的存儲(chǔ)器產(chǎn)品組合,并通過(guò)增加另一種可靠的、可定制的、相對(duì)容易集成到其他技術(shù)節(jié)點(diǎn)的嵌入式存儲(chǔ)器解決方案,擴(kuò)展其嵌入式非易失性存儲(chǔ)器(NVM)解決方案的路線圖。具體而言,這項(xiàng)技術(shù)將使客戶能夠進(jìn)一步區(qū)分其 SoC 設(shè)計(jì),并推動(dòng)新一代安全和智能設(shè)備的發(fā)展。

格芯表示,“致力于使我們技術(shù)組合差異化,成為客戶今天和未來(lái)幾十年的節(jié)能物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的基礎(chǔ)。通過(guò)收購(gòu)這項(xiàng)創(chuàng)新的存儲(chǔ)技術(shù),GF 現(xiàn)在在加速開(kāi)發(fā) NVM 解決方案方面發(fā)揮著至關(guān)重要的作用,這將使我們的客戶能夠設(shè)計(jì)出下一代的智能和互聯(lián)設(shè)備。CBRAM 技術(shù)釋放了性能和超低能耗的新范式,使從可穿戴設(shè)備到智能手機(jī)的各種應(yīng)用,在特定的使用情況下,將電池充電的間隔時(shí)間從幾小時(shí)延長(zhǎng)到幾周甚至幾年?!?/p>

IT之家了解到,CBRAM 的低功耗、高讀 / 寫速度、降低制造成本和對(duì)惡劣環(huán)境的耐受性,使其特別適用于消費(fèi)、醫(yī)療和特定工業(yè)應(yīng)用。2020 年,格芯 GF 與 Dialog 半導(dǎo)體公司(該公司于 2021 年被瑞薩公司收購(gòu))達(dá)成了一項(xiàng)許可協(xié)議,將其 CBRAM 技術(shù)作為一種嵌入式、NVM 選項(xiàng)提供?,F(xiàn)在,CBRAM 正在該公司的 22FDX 平臺(tái)上得到認(rèn)證,并計(jì)劃將其擴(kuò)展到其他平臺(tái)。

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