IT之家 9 月 16 日消息，將半導(dǎo)體工廠搬到太空去，固然聽起來(lái)像是科幻小說(shuō)中的情節(jié)，而在不久的將來(lái)將真正成為現(xiàn)實(shí)。
在太空中生產(chǎn)半導(dǎo)體產(chǎn)品有著諸多優(yōu)勢(shì)，尤其是生產(chǎn)基于 3D 氧化物的可變電阻式存儲(chǔ)器（RRAM），可以明顯縮短在地球上的生產(chǎn)周期、降低生產(chǎn)成本。
3D 半導(dǎo)體器件和傳統(tǒng) 2D RAM 器件的不同之處在于，并非采用傳統(tǒng)的平坦布置，而是一層層地堆疊存儲(chǔ)單元，從而允許在單個(gè)器件中具有更小的占用面積和更多的存儲(chǔ)器存儲(chǔ)。
該項(xiàng)目主要參與者包括網(wǎng)名“Daphne”的 Ying-Chen Chen，目前已經(jīng)聯(lián)合學(xué)術(shù)界和工業(yè)界，共同制定在太空中建造半導(dǎo)體器件的藍(lán)圖。她是亞利桑那州立大學(xué)富爾頓工程學(xué)院的教授，也是這項(xiàng) NASA 研究的聯(lián)合主要研究者。
該項(xiàng)目由 CHIPS 法案和美國(guó)宇航局的 In Space Production Applications 項(xiàng)目資助。
該項(xiàng)目由首席研究員、NASA 高級(jí)材料工程師柯蒂斯?希爾（Curtis Hill）領(lǐng)導(dǎo)，利用太空失重環(huán)境下簡(jiǎn)化甚至完全繞過(guò)蝕刻步驟。IT之家注：蝕刻是在芯片表面加深溝槽以為其導(dǎo)電金屬觸點(diǎn)留出足夠空間的一步。
科學(xué)家表示在地球環(huán)境下，由于要補(bǔ)償來(lái)自重力的壓力，半導(dǎo)體芯片薄膜材料層通常比較厚，因此需要進(jìn)行蝕刻；而在太空失重環(huán)境下，可以在太空中使用更薄的薄膜層，從而在制造過(guò)程中形成足夠深的溝槽，從而可以繞過(guò)蝕刻步驟。
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