IT之家 11 月 29 日消息，雖然雙十一多數終端產品銷售平淡，但在三大原廠（三星、SK 海力士及美光）大幅減產、控制產出的前提下，存儲芯片現貨漲價趨勢持續(xù)，其中 NAND 因虧損較嚴重，漲幅較為明顯。
據中國臺灣媒體《工商時報》，存儲芯片大廠減產保價策略十分奏效，Q4 合約價報價優(yōu)于市場預期，其中 DDR5 上漲 15～20％，DDR4 上漲 10～15％，DDR3 上漲 10％，而原先預估僅 5～10％。同時，NAND 每家平均漲幅至少在 20～25％，漲幅明顯更高。
另外，三星對 DRAM 正常報價，但在 NAND 部分則暫停報價，同時也不出貨，最新報價仍待觀察。
IT之家查詢發(fā)現，InSpectrum 最新報價顯示，DRAM 現貨中 4Gb 和 8Gb DDR4 近一周報價基本持平，但近一月報價已上漲 3.03％和 1.97％。
在 NAND Flash 現貨方面，256Gb 周報價基本持平，但和 512Gb TLC Flash 上漲 4.12％，月報價則分別上漲 15.25％和 27.78％。
TrendForce 分析師預計預估，第四季 DRAM 報價將會增長 3～8％，而第三季跌幅為 0～5％；第四季 NAND 報價季增 8～13％，也遠優(yōu)于第三季的跌幅 5～10％。
存儲模組廠商透露，目前原廠對四季度 Flash（閃存）供應主打“拖延戰(zhàn)術”，原先（模組廠）曾在 9 月試圖敲定數百萬顆訂單，但原廠遲遲不愿放貨，就算愿意給貨，數量及價格都無法達到滿意的目標。雖然終端市場需求已進入淡季，但 Flash 現貨市場行情卻處于上游熱、下游冷的特殊狀態(tài)，加速 Flash 晶圓各產品全面調漲。盡管短期通路市場庫存積壓，NAND Flash 晶圓漲勢不減反增，主流 512 Gb 現貨價單月調漲約 2 成，站上 2.6 美元。
據稱，三星第四季度 DRAM 減產幅度達 30％，SK 海力士及美光減產幅度達 20％，原廠對 NAND 的減產幅度更高，預計三大供應商減產將持續(xù)至 2024 年中，且資本支出和產出將聚焦于利潤更高的部分，如 HBM 和 DDR5。
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