IT之家 1 月 29 日消息,美光于 2023 年末在 IEEE IEDM 會(huì)議上披露了其 32Gb 3D NVDRAM(非易失性 DRAM)研發(fā)成果。不過(guò)根據(jù)外媒 Blocks & Files 從兩位受采訪的行業(yè)分析師處得到的消息,這一突破性的新型內(nèi)存基本不可能走向商業(yè)化量產(chǎn)道路,但其展現(xiàn)的技術(shù)進(jìn)展有望出現(xiàn)在未來(lái)內(nèi)存產(chǎn)品之中。
美光的 NVDRAM 內(nèi)存基于鐵電性(IT之家注:具有自發(fā)極化,且極化方向可在外加電場(chǎng)下反轉(zhuǎn))原理,可在擁有類(lèi)似 NAND 閃存的非易失性的同時(shí)獲得接近 DRAM 的高耐久和低延遲。該新型內(nèi)存采用雙層 3D 堆疊,32Gb 的容量密度創(chuàng)下了鐵電性存儲(chǔ)器的新紀(jì)錄。美光已基于 LPDDR5 規(guī)范對(duì) NVDRAM 樣品進(jìn)行了測(cè)試,認(rèn)為其適合嚴(yán)苛的 AI 負(fù)載。
不過(guò),兩位受采訪的分析師均認(rèn)為,美光 NVDRAM 本身不太可能成為量產(chǎn)產(chǎn)品。
來(lái)自 Objective Analysis 的分析師 Jim Handy 認(rèn)為,美光的 32Gb NVDRAM 有三項(xiàng)重要技術(shù)進(jìn)展:
首次在產(chǎn)品中實(shí)現(xiàn)相較現(xiàn)有 DRAM 更小的鐵電性電容器;
在垂直通道上引入多晶硅技術(shù);
將被用于 3D NAND 生產(chǎn)的 CuA(CMOS 陣列下)技術(shù)推廣到內(nèi)存領(lǐng)域。
Jim Handy 認(rèn)為,美光 NVDRAM 在電容器中使用了鋯(Zr)摻雜的氧化鉿(HfO?)高介電常數(shù)材料,可大幅降低內(nèi)存刷新率并顯著節(jié)省功耗。這一改進(jìn)也可減小 DRAM 中電容器的體積,進(jìn)一步提升存儲(chǔ)密度。上述一系列技術(shù)改進(jìn)使得美光可僅用 48nm 成熟工藝就生產(chǎn)出 32Gb NVDRAM。作為對(duì)比,三星去年推出了相同 32Gb 容量的 DDR5 DRAM,其采用的是 12nm 級(jí)工藝,相較美光樣品大幅領(lǐng)先。
不過(guò) Jim Handy 也表示,其聽(tīng)到過(guò)一些關(guān)于該 NVDRAM 不會(huì)進(jìn)入量產(chǎn)階段的暗示。
另一位接受采訪的分析師是來(lái)自 MKW Ventures 的 Mark Webb。他認(rèn)為美光在相關(guān)項(xiàng)目上投入了大量的時(shí)間和精力。而這樣一份詳細(xì)的論文出現(xiàn)在 IEDM 會(huì)議上,一般只有兩種情況:要么即將推出產(chǎn)品;要么產(chǎn)品因未知原因取消。Mark Web 的結(jié)論是,他也不認(rèn)為這一特定版本的產(chǎn)品將量產(chǎn)。
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