IT之家 1 月 29 日消息，美光于 2023 年末在 IEEE IEDM 會(huì)議上披露了其 32Gb 3D NVDRAM（非易失性 DRAM）研發(fā)成果。不過(guò)根據(jù)外媒 Blocks & Files 從兩位受采訪的行業(yè)分析師處得到的消息，這一突破性的新型內(nèi)存基本不可能走向商業(yè)化量產(chǎn)道路，但其展現(xiàn)的技術(shù)進(jìn)展有望出現(xiàn)在未來(lái)內(nèi)存產(chǎn)品之中。
美光的 NVDRAM 內(nèi)存基于鐵電性（IT之家注：具有自發(fā)極化，且極化方向可在外加電場(chǎng)下反轉(zhuǎn)）原理，可在擁有類(lèi)似 NAND 閃存的非易失性的同時(shí)獲得接近 DRAM 的高耐久和低延遲。該新型內(nèi)存采用雙層 3D 堆疊，32Gb 的容量密度創(chuàng)下了鐵電性存儲(chǔ)器的新紀(jì)錄。美光已基于 LPDDR5 規(guī)范對(duì) NVDRAM 樣品進(jìn)行了測(cè)試，認(rèn)為其適合嚴(yán)苛的 AI 負(fù)載。
不過(guò)，兩位受采訪的分析師均認(rèn)為，美光 NVDRAM 本身不太可能成為量產(chǎn)產(chǎn)品。
來(lái)自 Objective Analysis 的分析師 Jim Handy 認(rèn)為，美光的 32Gb NVDRAM 有三項(xiàng)重要技術(shù)進(jìn)展：
首次在產(chǎn)品中實(shí)現(xiàn)相較現(xiàn)有 DRAM 更小的鐵電性電容器；
在垂直通道上引入多晶硅技術(shù)；
將被用于 3D NAND 生產(chǎn)的 CuA（CMOS 陣列下）技術(shù)推廣到內(nèi)存領(lǐng)域。
Jim Handy 認(rèn)為，美光 NVDRAM 在電容器中使用了鋯（Zr）摻雜的氧化鉿（HfO?）高介電常數(shù)材料，可大幅降低內(nèi)存刷新率并顯著節(jié)省功耗。這一改進(jìn)也可減小 DRAM 中電容器的體積，進(jìn)一步提升存儲(chǔ)密度。上述一系列技術(shù)改進(jìn)使得美光可僅用 48nm 成熟工藝就生產(chǎn)出 32Gb NVDRAM。作為對(duì)比，三星去年推出了相同 32Gb 容量的 DDR5 DRAM，其采用的是 12nm 級(jí)工藝，相較美光樣品大幅領(lǐng)先。
不過(guò) Jim Handy 也表示，其聽(tīng)到過(guò)一些關(guān)于該 NVDRAM 不會(huì)進(jìn)入量產(chǎn)階段的暗示。
另一位接受采訪的分析師是來(lái)自 MKW Ventures 的 Mark Webb。他認(rèn)為美光在相關(guān)項(xiàng)目上投入了大量的時(shí)間和精力。而這樣一份詳細(xì)的論文出現(xiàn)在 IEDM 會(huì)議上，一般只有兩種情況：要么即將推出產(chǎn)品；要么產(chǎn)品因未知原因取消。Mark Web 的結(jié)論是，他也不認(rèn)為這一特定版本的產(chǎn)品將量產(chǎn)。
廣告聲明：文內(nèi)含有的對(duì)外跳轉(zhuǎn)鏈接（包括不限于超鏈接、二維碼、口令等形式），用于傳遞更多信息，節(jié)省甄選時(shí)間，結(jié)果僅供參考，IT之家所有文章均包含本聲明。