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消息稱 SK 海力士 HBM4 內(nèi)存基礎(chǔ)裸片有望采用臺積電 7nm 制程

2024/4/23 16:33:12 來源:IT之家 作者:溯波(實(shí)習(xí)) 責(zé)編:汪淼

IT之家 4 月 23 日消息,韓媒 The Elec 在報道中表示,預(yù)測 SK 海力士將在 HBM4 內(nèi)存的基礎(chǔ)裸片(Base Die)部分采用臺積電 7nm 制程。

IT之家注:目前臺積電 7nm 系產(chǎn)能大部分已遷移至 6nm 變體,因此韓媒的表達(dá)更適合作為“7nm 系”制程理解。

HBM 內(nèi)存的基礎(chǔ)裸片是 DRAM 堆疊的底座,同時也作為控制器負(fù)責(zé)同處理器進(jìn)行通信。

SK 海力士上周同臺積電簽署了 HBM 內(nèi)存合作諒解備忘錄,雙方的首個合作重點(diǎn)就是 HBM 基礎(chǔ)邏輯芯片的性能改善。

SK 海力士此前在 HBM 產(chǎn)品中采用存儲半導(dǎo)體工藝制造基礎(chǔ)裸片;而在 HBM4 中,臺積電將采用先進(jìn)邏輯工藝為 SK 海力士代工,以實(shí)現(xiàn)更豐富的功能和更加優(yōu)異的功效,有助于滿足客戶對定制化 HBM 的需求。

SK 海力士目標(biāo)到 2026 年實(shí)現(xiàn) HBM4 內(nèi)存投產(chǎn)。

咨詢機(jī)構(gòu) TrendForce 集邦咨詢持有不同于 The Elec 的看法,其在去年 11 月認(rèn)為 HBM4 的基礎(chǔ)裸片將基于 12nm 工藝。

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關(guān)鍵詞:臺積電,內(nèi)存,HBMSK海力士,HBM4

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