IT之家 5 月 6 日消息，據(jù)美媒 The Journal News 訃告版，現(xiàn)代 DRAM 內(nèi)存發(fā)明人羅伯特?登納德（Robert Dennard）于 2024 年 4 月 23 日逝世，享年 91 歲。
羅伯特?登納德于 1932 年 9 月 5 日出生于美國(guó)得克薩斯州特雷爾。其于 1958 年獲得卡內(nèi)基理工學(xué)院（IT之家注：現(xiàn)卡內(nèi)基梅隆大學(xué)）電氣工程博士學(xué)位，并加入 IBM 擔(dān)任研究員。
在 1960 年代，計(jì)算機(jī)對(duì)內(nèi)存的需求日益提升，與此同時(shí)流行的磁芯內(nèi)存正面臨密度、成本、性能的極限；
登納德當(dāng)時(shí)正在 IBM 從事金屬氧化物半導(dǎo)體（MOS）內(nèi)存的開發(fā)，但此時(shí)的方案存在速度過(guò)慢、消耗過(guò)大芯片面積的問(wèn)題。
在一次偶然中，登納德腦中浮現(xiàn)了一個(gè)靈感：可以使用單個(gè)晶體管中電容器的帶電正負(fù)記錄數(shù)據(jù)，并通過(guò)反復(fù)充電實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的動(dòng)態(tài)刷新。這一概念成為日后 DRAM 內(nèi)存的基礎(chǔ)。
登納德和 IBM 于 1968 年獲得了 DRAM 專利，該技術(shù)在 1970 年投入商用后以其低成本、低功耗、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單的優(yōu)勢(shì)使磁芯內(nèi)存迅速過(guò)時(shí)，推動(dòng)了信息電信技術(shù)的快速進(jìn)步。
DRAM 內(nèi)存同第一批低成本微處理器一道加速了計(jì)算機(jī)的小型化，以 Apple II 為代表的早期個(gè)人電腦得以在商業(yè)上獲得成功，也為現(xiàn)在的移動(dòng)端設(shè)備打開了大門。
登納德還提出了著名的登納德縮放定律，指出隨著制程提升，半導(dǎo)體芯片的功耗密度不變。這條規(guī)律統(tǒng)治了半導(dǎo)體業(yè)界 30 多年，同摩爾定律、阿姆達(dá)爾定律并稱為半導(dǎo)體行業(yè)的三大定律。
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