IT之家 5 月 6 日消息，據(jù)韓媒 The Elec 和《首爾經(jīng)濟(jì)新聞》報(bào)道，SK 海力士在 5 月 2 日舉行的“AI 時(shí)代，SK 海力士藍(lán)圖和戰(zhàn)略”記者招待會(huì)上表示，其 HBM4 內(nèi)存的量產(chǎn)時(shí)間已提前到 2025 年。
具體來(lái)說(shuō)，SK 海力士計(jì)劃在 2025 年下半年推出采用 12 層 DRAM 堆疊的首批 HBM4 產(chǎn)品，而 16 層堆疊 HBM 稍晚于 2026 年推出。
SK 海力士上月同臺(tái)積電達(dá)成 HBM 基礎(chǔ)裸片（Base Die）合作諒解備忘錄，當(dāng)時(shí)定于 2026 年推出 HBM4 內(nèi)存。
HBM4 量產(chǎn)的加速無(wú)疑顯示了 AI 領(lǐng)域巨頭對(duì)高性能內(nèi)存的強(qiáng)勁需求，日益強(qiáng)大的 AI 處理器需要更高內(nèi)存帶寬的輔助。
The Elec 預(yù)計(jì)，SK 海力士將在 HBM4 內(nèi)存中采用 1cnm 制程的新一代 DRAM 內(nèi)存芯片，目前的 HBM3E 產(chǎn)品基于 1bnm；而在基礎(chǔ)裸片部分，未來(lái)產(chǎn)品有望使用臺(tái)積電 7nm 系工藝。
SK 海力士在記者會(huì)上還表示目前基于 MR-MUF 鍵合的 12 層堆疊 HBM3E 內(nèi)存將于本月出樣三季度量產(chǎn)，未來(lái) 16 層堆疊產(chǎn)品也將采用 MR-RUF，詳情參見(jiàn)IT之家早前報(bào)道。
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