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SK 海力士加速 HBM4 內(nèi)存量產(chǎn),目標(biāo) 2025 下半年推出首批產(chǎn)品

2024/5/6 11:40:42 來(lái)源:IT之家 作者:溯波(實(shí)習(xí)) 責(zé)編:溯波

IT之家 5 月 6 日消息,據(jù)韓媒 The Elec 和《首爾經(jīng)濟(jì)新聞》報(bào)道,SK 海力士在 5 月 2 日舉行的“AI 時(shí)代,SK 海力士藍(lán)圖和戰(zhàn)略”記者招待會(huì)上表示,其 HBM4 內(nèi)存的量產(chǎn)時(shí)間已提前到 2025 年。

具體來(lái)說(shuō),SK 海力士計(jì)劃在 2025 年下半年推出采用 12 層 DRAM 堆疊的首批 HBM4 產(chǎn)品,而 16 層堆疊 HBM 稍晚于 2026 年推出。

SK 海力士上月同臺(tái)積電達(dá)成 HBM 基礎(chǔ)裸片(Base Die)合作諒解備忘錄,當(dāng)時(shí)定于 2026 年推出 HBM4 內(nèi)存

HBM4 量產(chǎn)的加速無(wú)疑顯示了 AI 領(lǐng)域巨頭對(duì)高性能內(nèi)存的強(qiáng)勁需求,日益強(qiáng)大的 AI 處理器需要更高內(nèi)存帶寬的輔助。

The Elec 預(yù)計(jì),SK 海力士將在 HBM4 內(nèi)存中采用 1cnm 制程的新一代 DRAM 內(nèi)存芯片,目前的 HBM3E 產(chǎn)品基于 1bnm;而在基礎(chǔ)裸片部分,未來(lái)產(chǎn)品有望使用臺(tái)積電 7nm 系工藝。

SK 海力士在記者會(huì)上還表示目前基于 MR-MUF 鍵合的 12 層堆疊 HBM3E 內(nèi)存將于本月出樣三季度量產(chǎn),未來(lái) 16 層堆疊產(chǎn)品也將采用 MR-RUF,詳情參見(jiàn)IT之家早前報(bào)道

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