IT之家 5 月 8 日消息，英特爾近日宣布完成世界首臺商用高數(shù)值孔徑（High NA）EUV 光刻機(jī)的安裝，而這臺耗資約 3.5 億美元（IT之家備注：當(dāng)前約 25.23 億元人民幣）的龐然大物將于年內(nèi)正式啟用。
TheElec 表示，ASML 截至明年上半年絕大部分高數(shù)值孔徑 EUV 設(shè)備的訂單已經(jīng)由英特爾承包，包括今年計劃生產(chǎn)的五套設(shè)備將全部運(yùn)給這家美國芯片制造商。
消息人士稱，由于 ASML 的高數(shù)值孔徑 EUV 設(shè)備產(chǎn)能每年約為 5 到 6 臺，這意味著英特爾將獲得所有初始庫存，而英特爾的競爭對手三星和 SK 海力士預(yù)計將在明年下半年才能獲得該設(shè)備。
對于高數(shù)值孔徑，IT之家這里簡單解釋一下。光刻設(shè)備中的 NA 代表數(shù)值孔徑，表示光學(xué)系統(tǒng)收集和聚光的能力。數(shù)值越高，聚光的能力就越強(qiáng)。相比于當(dāng)前 EUV 設(shè)備的 0.33 數(shù)值孔徑，新一代 EUV 設(shè)備的 NA 值直接增加到了 0.55，擁有 1.7 倍于目前 0.33NA EUV 光刻機(jī)的一維密度，在二維尺度上可實現(xiàn) 190% 的密度提升。
英特爾代工旗下邏輯技術(shù)開發(fā)部門的光刻、硬件和解決方案主管菲利普斯表示，英特爾將于今年晚些時候?qū)?High NA EUV 光刻機(jī)投入制程開發(fā)工作。
英特爾將在 18A 尺度的概念驗證節(jié)點(diǎn)上對 High NA EUV 和傳統(tǒng) 0.33NA EUV 光刻的混合使用進(jìn)行測試，并在之后的 14A 節(jié)點(diǎn)上進(jìn)入商業(yè)化量產(chǎn)階段。
菲利普斯預(yù)測 High NA EUV 光刻機(jī)至少可在三代的未來節(jié)點(diǎn)上沿用，從而將光刻技術(shù)的名義尺度突破到 1nm 以下量級。
關(guān)于未來光刻技術(shù)發(fā)展，菲利普斯認(rèn)為將光線波長進(jìn)一步縮短至 6.7nm 會引入大量新的問題，包括明顯更大的光學(xué)組件；在他眼中，更高的數(shù)值孔徑（Hyper NA）是可能的技術(shù)方向。
對于 High NA EUV 光刻帶來的單芯片理論最大面積減小問題，菲利普斯表示英特爾正同 EDA 企業(yè)一道就芯片“縫合”技術(shù)進(jìn)行開發(fā)，以方便設(shè)計師使用。
由于英特爾于 2021 年重新進(jìn)入芯片代工市場，所以需要比其競爭對手更快地采用高數(shù)值孔徑 EUV 技術(shù)來贏得客戶的信任，不過英特爾代工業(yè)務(wù)去年虧損了 70 億美元（當(dāng)前約 504.7 億元人民幣），看起來還有很長的路要走。
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